增強型：VGS=0時，漏源之間沒有導電溝道，在VDS作用下無iD；耗盡型：VGS=0時，漏源之間有導電溝道，在VDS作用下iD。

　　1、結構和符號（以N溝道增強型為例）

　　在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。

　　其他MOS管符號

　　2、工作原理（以N溝道增強型為例）

（1） VGS=0時，不管VDS極性如何，其中總有一個PN結反偏，所以不存在導電溝道。

　　VGS =0， ID =0

　　VGS必須大于0

　　管子才能工作。

　　（2） VGS》0時，在Sio2介質中產生一個垂直于半導體表面的電場，排斥P區多子空穴而吸引少子電子。當VGS達到一定值時P區表面將形成反型層把兩側的N區溝通，形成導電溝道。

　　VGS 》0→g吸引電子→反型層→導電溝道

　　VGS↑→反型層變厚→ VDS ↑→ID↑

　　（3） VGS≥VT時而VDS較小時：

　　VDS↑→ID ↑

　　VT：開啟電壓，在VDS作

　　用下開始導電時的VGS°

　　VT = VGS —VDS

　　（4） VGS》0且VDS增大到一定值后，靠近漏極的溝道被夾斷，形成夾斷區。

　　VDS↑→ID 不變

　　3、特性曲線（以N溝道增強型為例）

　　??場效應管的轉移特性曲線動畫

　　4、其它類型MOS管

　　（1）N溝道耗盡型：制造時在柵極絕緣層中摻有大量的正離子，所以即使在VGS=0時，由于正離子的作用，兩個N區之間存在導電溝道（類似結型場效應管）。

　　（2）P溝道增強型：VGS = 0時，ID = 0開啟電壓小于零，所以只有當VGS 《 0時管子才能工作。

　　（3）P溝道耗盡型：制造時在柵極絕緣層中摻有大量的負離子，所以即使在VGS=0 時，由于負離子的作用，兩個P區之間存在導電溝道（類似結型場效應管）。

　　5、場效應管的主要參數

　　（1） 開啟電壓VT ：在VDS為一固定數值時，能產生ID所需要的最小 |VGS | 值。（增強）

　　（2） 夾斷電壓VP ：在VDS為一固定數值時，使 ID對應一微小電流時的 |VGS | 值。（耗盡）

　　（3） 飽和漏極電流IDSS ：在VGS = 0時，管子發生預夾斷時的漏極電流。（耗盡）

　　（4） 極間電容 ：漏源電容CDS約為 0.1～1pF，柵源電容CGS和柵漏極電容CGD約為1～3pF。

　　（5） 低頻跨導 gm ：表示VGS對iD的控制作用。

　　在轉移特性曲線上，gm 是曲線在某點上的斜率，也可由iD的表達式求導得出，單位為 S 或 mS。

　　（6） 最大漏極電流 IDM

　　（7） 最大漏極耗散功率 PDM

　　（8） 漏源擊穿電壓 V（BR）DS 柵源擊穿電壓 V（BR）GS

　　什么是MOS管，MOS管的特性：

　　1. MOS管工作原理--MOS管簡介

　　MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。

　　2. MOS管工作原理--Mos管的結構特點

　　MOS管的內部結構如下圖所示;其導通時只有一種極性的載流子（多子）參與導電，是單極型晶體管。導電機理與小功率MOS管相同，但結構上有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。

　　其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。

　　3. MOS管工作原理--MOS管的特性

　　3.1MOS管的輸入、輸出特性

　　對于共源極接法的電路，源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離，所以柵極電流為0。

　　當VGS

　　3.2MOS管的導通特性

　　MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態。下面以NMOS管為例介紹其特性。

　　NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

　　PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

　　4. MOS管工作原理

　　MOS管的工作原理（以N溝道增強型MOS場效應管）它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

　　知識延伸

　　MOS管的分類

　　按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導電方式：MOS管又分耗盡型與增強型，所以MOS場效應晶體管分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。

　　MOS管應用

　　MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。而且由MOS管構成的CMOS傳感器為相機提供了越來越高的畫質，成就了更多的“攝影家”