ir2104簡介
IR2104(S)高電壓,高轉速動力MOSFET和GBT驅動器與相關的高與低側參考輸出通道專有HVIC和鎖存免疫CMOS技術使堅固耐用的單片式結構邏輯輸入與標準CMOS或LSTTL輸出下降到33V邏輯輸出驅動器具有高脈沖電流緩沖級,最低驅動器交叉傳導浮貴溝道,可用于驅動一個N溝道功率MOSFET或IGBT其中可從10到600伏的高側配置。
ir2104特點
1.設計為引導操作浮動通道
充分運作,以+600V
耐負瞬態電壓
dVIdt免疫
2.柵極驅動電壓范圍從10到20V
3.欠壓鎖定
4.兼容33V5V和15V輸入邏輯
5.跨導預防邏輯
6.內部設置死區時間
7.同相輸入高側輸出
8.關閉輸入關閉兩個通道
9.匹配的傳播延遲為兩個通道
10.也可用無鉛
ir2104技術參數
引腳數目:8
安裝:通孔
最大工作溫度:125°C
最小工作溫度:-40°C
最大升壓時間:170ns
最大接通時延:60ns
最大斷路時延:60ns
最大電源電流:0.27A
橋類型:半橋
輸出數目:2
ir2104引腳圖及功能說明
r2104管腳功能描述: