高壓氮化鎵的未來，您能想象得到嗎？

你可以想象有這樣一個世界，在這個世界中，你不需要建造這么多發電廠，來滿足不斷躥升的數字需求。在這個世界中，工業、企業計算、電信和可再生能源系統的運行速度大大加快，并且效率更高。

這樣一個世界也許很快就可以實現。

正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳的應用。

“氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術開發組總監Steve Tom說，“它使得系統運行更快，動力更加強勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統的性能。”

它會影響到我們身邊的每一個人。你每次使用智能手機、網上下單、查看社交媒體，或者將照片上傳至在線賬戶時，你連接的是一個包含數千臺服務器的巨大數據中心。

這些服務器和數據中心的運轉耗電量很大。而對于電力的需求—也是對于電廠發電量的要求—也增長的越來越快，這是因為我們的生活與網絡互連的關系越來越緊密，并且對于高耗能數字器件的依賴程度也越來越高。

“由于我們對電子元器件的期待越來越高，隨著物聯網不斷增長，我們的設備都被連接在了一起，我們需要消耗更多的電能，”GaN開發團隊的系統和應用工程師Eric Faraci說，“更多的能耗意味著需要建造更多的大型電廠。但是，如果我們使用諸如氮化鎵的技術，我們可以將效率提高到一定的程度，這樣的話，我們也許就不再需要增加發電能力了。”

所以，我們可以想象一個更加綠色環保的生活。

“我們需要減少能耗，”Steve說，“我們無法一直滿足全世界范圍內不斷增長的用電需求。”

在TI，我們不斷工作，在憧憬著未來美好生活的同時，我們也努力盡早實現這些未來的技術。

感覺不到散熱

GaN是將鎵元素和氮元素這兩個元素組合在一起而創造出來的一款超快速的半導體材料。在很多年間，硅材料一直在底部支撐電子元器件的基礎構造塊。相對于硅材料，這個組合使得電子能夠更加自由的運動。

系統中的電路，從手機到高端工業用工具和服務器，它們的工作方式都是不斷接通和斷開數百萬個微型開關。開關每移動一次，它就會產生熱量。

這些發熱限制了系統的性能。比如說，當你筆記本電腦的電源變熱時，其原因在于流經電路開關內的電子會產生熱量，并且降低了它的效率。

由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導體材料，它的發熱量更低，所以設計人員能夠將更多的開關裝在更小的空間內。

在隔離式高壓工業、電信、企業計算機和可再生能源應用中，具有集成式驅動器的600V GaN功率級開關顯得特別重要。LMG3410的優勢包括：

將目前技術最先進的硅材料功率因數校正轉換器的功率密度加倍。

相對于分立式GaN解決方案，其功率損耗、電壓應力和電磁干擾更低。

實現全新技術。