65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后,即2008年,氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場(chǎng)效晶體(MOSFET)(在硅襯底上形成)得到推廣,但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件,使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái),以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來(lái)提供方案。
2020-10-28 06:01:23
手機(jī)甚至出廠就直接標(biāo)配氮化鎵快充,也讓更多用戶接觸到氮化鎵快充小巧便攜高性能的特性。未來(lái),氮化鎵快充除了在消費(fèi)電子市場(chǎng)繼續(xù)增長(zhǎng)外,也會(huì)在 PC 電源、新能源汽車等更多行業(yè)上得到應(yīng)用,達(dá)到全面開(kāi)花
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來(lái)越多充電器開(kāi)始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來(lái)很小,但是功率一般很大,可以給手機(jī)平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么,氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn),下文簡(jiǎn)單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì),如主動(dòng)有源鉗位反激式(ACF)、圖騰柱PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。隨著硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變,初級(jí) FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡(jiǎn)單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
對(duì)這一曾經(jīng)的新興技術(shù)及其供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的大規(guī)模資金投入已經(jīng)為氮化鎵的主流商業(yè)應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),這將在未來(lái)幾十年對(duì)我們的行業(yè)及其它行業(yè)帶來(lái)革命性的影響。`
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數(shù)十億次的查詢,便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
限制層,為像GaN材料體系這樣性質(zhì)差異大的半導(dǎo)體激光器提供了新的研究思路,有望進(jìn)一步提高氮化鎵激光器性能。 未來(lái)GaN基藍(lán)光激光器的效率將進(jìn)一步提升,接近GaAs基紅外激光器的電光轉(zhuǎn)化效率
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通,這個(gè)系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
的關(guān)鍵時(shí)刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)過(guò)驗(yàn)證,這推動(dòng)了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應(yīng)用,并使其定位為最適合未來(lái)5G無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的實(shí)際促技術(shù),其轟動(dòng)性市場(chǎng)影響可能會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出手機(jī)連接領(lǐng)域
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)?氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45
2000 年代初就已開(kāi)始,但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無(wú)疑問(wèn),它們將在未來(lái)十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管,但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處?
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
集成在一顆芯片中。合封的設(shè)計(jì)消除了寄生參數(shù)導(dǎo)致的干擾,并充分簡(jiǎn)化了氮化鎵器件的應(yīng)用門檻,像傳統(tǒng)集成MOS的控制器一樣應(yīng)用,得到了很高的市場(chǎng)占有率。鈺泰半導(dǎo)體瞄準(zhǔn)小功率氮化鎵合封應(yīng)用的市場(chǎng)空白,推出
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
硬件和軟件套件有助加快并簡(jiǎn)化固態(tài)射頻系統(tǒng)開(kāi)發(fā)經(jīng)優(yōu)化后可供烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點(diǎn)火系統(tǒng)的商業(yè)制造商使用系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠以LDMOS的價(jià)格充分利用硅基氮化鎵性能的優(yōu)勢(shì)在IMS現(xiàn)場(chǎng)
2017-08-03 10:11:14
,尤其是2010年以后,MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng),如今的MACOM擁有包括氮化鎵(GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化鎵等技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
多個(gè)方面都無(wú)法滿足要求。在基站端,由于對(duì)高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
測(cè)試背景地點(diǎn):國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象:氮化鎵半橋快充測(cè)試原因:因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管,需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳達(dá)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲印:NV6115芯片介紹:NV6115氮化鎵MOS,是針對(duì)
2021-01-08 17:02:10
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報(bào)價(jià)QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
應(yīng)對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開(kāi)關(guān)電源特性? 集成氮化鎵直接驅(qū)動(dòng)(6V DRV)? 集成高壓啟動(dòng)(700V)? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:31:57
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報(bào)價(jià)TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
由于換了三星手機(jī),之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機(jī)電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來(lái)說(shuō)下這款充電器的選購(gòu)過(guò)程
2021-09-14 08:28:31
書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
ODM和一級(jí)供應(yīng)商可以使用Silicon Labs的Si827x隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)構(gòu)建系統(tǒng)。這些驅(qū)動(dòng)器符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),符合汽車半導(dǎo)體器件的標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量和文檔要求。高壓氮化鎵電源在電源行業(yè)有些獨(dú)特
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
的電壓,其漏極漂移區(qū)為10-20μm,或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而,氮化鎵器件目前仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于約300V/μm的禁帶寬度極限,這為未來(lái)的優(yōu)化和改進(jìn),留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
推廣應(yīng)用和推廣碳中和”的政策。日本大坂大學(xué)的森勇介教授,一直在從事高品質(zhì)的半導(dǎo)體研究,這一次,我們就氮化鎵的研發(fā)情況、研究成果對(duì)未來(lái)的應(yīng)用前景產(chǎn)生的影響,森教授進(jìn)行了訪談。目前,功率半導(dǎo)體的應(yīng)用廣泛,其
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無(wú)論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
帶寬更高,這一點(diǎn)很重要,載波聚合技術(shù)的使用以及準(zhǔn)備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。[color=rgb(51, 51, 51) !important]與硅或者其他器件相比,氮化鎵速度更快
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過(guò)原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問(wèn)題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問(wèn)題,和芯片沒(méi)有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
和分析,詳細(xì)列舉氮化鎵與傳統(tǒng)的MOSFET設(shè)計(jì)上的區(qū)別,PCB LAYOUT相關(guān)注意事項(xiàng)等。第三步:電路測(cè)試和優(yōu)化技巧通過(guò)從低壓到高壓、從低頻到高頻、從控制信號(hào)到主電路工作、從開(kāi)環(huán)到閉環(huán)等多方面的調(diào)試
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿意。但通過(guò)共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個(gè)口不可以充電,它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開(kāi)關(guān)性能,有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
一顆頂兩顆,SMT貼片費(fèi)用對(duì)應(yīng)降低,取代多顆時(shí),成本下降更加明顯,并且PCB面積也得到減小。從這些方面,又?jǐn)偙×藨?yīng)用成本壓力。充電頭網(wǎng)總結(jié)氮化鎵在PD快充上的應(yīng)用,通過(guò)高頻開(kāi)關(guān),減小了變壓器的尺寸,再
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動(dòng)電源超級(jí)快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過(guò)程相結(jié)合,以更低的成本進(jìn)行廣泛使用,從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比,射頻能量使用更少的能量,而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
第 1 步 – 柵極驅(qū)動(dòng)選擇 驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅(qū)動(dòng)硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異。 驅(qū)動(dòng)氮化鎵E-HEMT不會(huì)消除任何
2023-02-21 16:30:09
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器,快充電源和氮化鎵充電器的制造商,公司具有標(biāo)準(zhǔn)無(wú)塵生產(chǎn)車間,為客戶進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器,總輸出功率為65W,單口
2023-06-16 14:05:50
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
器件,因?yàn)槠洚a(chǎn)量不斷在增加、可靠性得到認(rèn)證和價(jià)格持續(xù)下降。
此時(shí),氮化鎵技術(shù)不再是一個(gè)“科學(xué)項(xiàng)目”,而是在15 V~650 V的應(yīng)用中廣泛替代硅MOSFET器件。
結(jié)論
當(dāng)今的氮化鎵技術(shù)在性能、可靠性
2023-06-25 14:17:47
請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化鎵這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái),橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化鎵的毫米波5G基站MIMO天線方案,左側(cè)展示的是鍺化硅基MIMO天線,它有1024個(gè)元件,裸片面積是4096平方毫米,輻射功率是65dbm,與之形成鮮明對(duì)比的,是右側(cè)氮化
2019-04-13 22:28:48
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
無(wú)可爭(zhēng)議的冠軍。它已經(jīng)在雷達(dá)和5G無(wú)線技術(shù)中得到了應(yīng)用,很快將在電動(dòng)汽車的逆變器中普及。你甚至可以買到基于氮化鎵的USB壁式充電器,它們體積小且功率非常高。不過(guò),還有比它更好的東西嗎?有能讓射頻放大器變得
2023-02-27 15:46:36
靈活應(yīng)對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開(kāi)關(guān)電源. 特性? 集成氮化鎵直接驅(qū)動(dòng)(6V DRV)? 集成高壓啟動(dòng)(700V)? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
預(yù)想一下高壓氮化鎵的未來(lái)
2022-11-02 08:16:300
評(píng)論
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