本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結果，來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應的確認工作也基于上次內容，因此請結合
2020-12-21 14:25:45
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GaN FET 實現(xiàn)了高頻電源轉換器設計。憑借出色的開關特性和零反向恢復損耗，這種輕量級設計具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 12:03:511366 反向恢復過程： ? ? 通常把二極管從正向導通轉為反向截止所經過的轉換過程稱為反向恢復過程 。由于反向恢復時間的存在，使二極管的開關速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復時間長，那就
2022-12-10 17:06:3814754 
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復特性。當器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有反向恢復功率，反向恢復時間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復時間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231748 
除了上面的伏安特性曲線以外，對于二極管，你還需要知道兩個特性：二極管電容和反向恢復時間。這兩個特性掌握了之后，那對于通常的二極管來說，你該知道的基本上就算都知道了。
2023-02-14 11:44:27649 
二極管的反向恢復時間Trr是指二極管截止后，從導通到關斷所用的時間。做開關電源的都知道，這個參數(shù)很重要，但雅帆為了寫這篇文章，查了很多二極管資料，里面都沒有標出。自己動手豐衣足食，測試過程與大家
2023-04-12 09:06:145600 超快恢復二極管是一種具有開關特性好、反向恢復時間超短的半導體二極管，常用來給高頻逆變裝置的開關器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器，使開關器件的功能得到充分發(fā)揮。超快恢復二極管是用電設備
2023-07-08 10:08:331014 
二極管正向導通時，電子存儲在P區(qū)，空穴存儲在N區(qū)，此現(xiàn)象叫做電荷存儲效應。外加反向電壓時，電子和空穴分別往相反方向移動，形成反向漂移電流，同時與其他多數(shù)載流子復合，待電子和空穴明顯減小后，反向恢復過程完成，二極管截至。
2023-10-18 09:41:502209 
基于橋式結構的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng)，同步Buck變換器的續(xù)流開關管、以及次級同步整流開關管， 其體內寄生的二極管都會經歷反向電流恢復的過程。
2023-12-04 16:05:40821 
反向恢復時間就是存儲電荷耗盡所需要的時間。二極管和一般開關的不同在于,"開"與"關"由所加電壓的極性決定, 而且"開"態(tài)有微小的壓降Vf
2019-12-03 10:16:05
編輯-Z快恢復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒，超快恢復二極管SFP6006的反向恢復電荷進一步降低，使其trr可低至幾十納秒。從內部結構上看，快恢復可分為單管和對管（也稱雙管）兩種，雙管內有兩個
2021-09-10 16:13:18
了這兩個概念后，從電路的角度去理解二極管的反向恢復過程就很簡單了?！ ∵@時候你可能會問“二極管反向恢復的瞬間會不會造成橋臂直通??？”是的，當然會了。雖然是“橋臂直通”，但是沒有危險，因為時間太短了，也就
2020-12-08 15:44:26
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要
2018-11-29 14:34:32
【實例分析】抑制功率二極管反向恢復的3種方法大比拼！引言高頻功率二極管在電力電子裝置中的應用極其廣泛。但PN結功率二極管在由導通變?yōu)榻刂範顟B(tài)過程中，存在反向恢復現(xiàn)象。這會引起二極管損耗增大，電路效率
2017-08-17 18:13:40
為什么普通整流二極管都沒標反向恢復時間？
2023-04-20 16:43:24
二極管是單向導通，那么反向恢復時間是什么，需要怎么測試
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢復過程？二極管在開關轉換過程中出現(xiàn)的反向恢復過程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復時間(Trr)：35nS引線數(shù)量：3 二極管SFF3006反向恢復過程，現(xiàn)代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost開關電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產生的反向恢復電流的di/dt遠比輸出二極管D反向恢復電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我們詳細討論了二極管的結電容：勢壘電容和擴散電容。我們也知道了數(shù)據(jù)手冊中所給出的結電容參數(shù)，它的大小和反向恢復時間沒有關系。如下表所示：序號種類型號結電容反向恢復時間封裝品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
一、二極管的反向恢復時間①舉例理解如上圖，在二極管正極輸入正負脈沖方波信號，理想二極管輸出應該是高電平和低電平，但實際上二極管有一個反向恢復時間trr。如上圖，在電壓從正向突然變成負向的瞬間，二極管
2023-02-15 14:24:47
看起來好像SPICE沒有對這個恢復進行正確建模。在本系列的第2部分，我將詳細介紹在真實電路中測量反向恢復的方法，然后將一個基于MOSFET的標準同步降壓轉換器與全新的LMG5200進行比較。其它資源：了解LMG5200的用戶友好界面學習具有GaN半橋功率級EVM的用戶指南挖掘研究更多的GaN博客
2018-09-03 15:17:44
轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
或者說過程，我們稱之為反向恢復過程。只要是雙極型器件，就會有非平衡載流子的注入，那么就存在所謂的反向恢復過程。這種特性嚴重限制了器件在高頻需求下的性能，我們要做的就是研究并減小反向恢復這個過程的時間。(a
2023-02-14 15:46:54
對于二極管來說，加在其兩端的電壓由正向變到反向時，響應時間一般很短，而相反的由反向變正向時其時間相對較長，此即為反向恢復時間，當二極管用做高頻整流等時，要求反向恢復時間很短，此時就需要快恢復二極管
2021-06-30 13:51:20
產生反向恢復電流Irr，會明顯增大對管開關管的開通損耗，降低整個系統(tǒng)的效率?！ 】梢?，在圖騰柱無橋PFC中，現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD或超結MOSFET作為主開關管的傳統(tǒng)IGBT解決方案已很難再進
2023-02-28 16:48:24
MOSFET相比，GaN的優(yōu)勢包括：低輸入和輸出電容，減少開關損耗，實現(xiàn)更快的開關頻率。接近0的反向恢復電荷，無反向恢復損耗，降低D類逆變器/放大器的損耗。由于較低的柵極-漏極電容，大大降低了開關損耗
2019-07-29 04:45:02
二極管反向恢復時間測試儀 長春艾克思科技有限責任公司滿足國家標準：GB/T8024-2010，使用矩形波法測試反向恢復時間。一：主要特點A：測量多種二極管B：二極管反向電流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
開通造成橋臂短路； 通過優(yōu)化 PCB 布局減小寄生電感能有效減小驅動振蕩[3]，但在硬開關場合依舊存在較大電壓過沖； 而且 GaN HEMT 的反向導通損耗往往高于同電壓等級的 MOSFET，尤其是工作
2023-09-18 07:27:50
單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。
2021-05-13 06:18:10
如何選擇開關電源次級輸出的整流二極管的反向恢復時間？
2023-04-20 16:41:42
如何選擇開關電源次級輸出的整流二極管的反向恢復時間？
2023-05-15 17:47:45
?快恢復二極管反向恢復時間（tr）的定義：電流通過零點由正向轉換到規(guī)定低值的時間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術指標。在快恢復二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
快恢復二極管與普通整流二級管最大的區(qū)別就是快恢復二極管的反向恢復時間。那么快恢復二極管的反向恢復時間是如何定義的呢？下面來給大家普及一下基礎知識：快恢復二極管反向恢復時間（trr）的定義：電流
2021-08-13 17:15:07
二極管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較...
2021-09-09 06:52:46
二極管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較低
2015-11-27 17:55:42
快恢復二極管是在P型、N型硅材料中增加了基區(qū)I，構成P—I—N硅片結構。由于基區(qū)很薄，反向恢復電荷很少，不僅大大減小了反向的恢復時間，還降低了瞬態(tài)正向電壓，使管子能夠承受很高的反向工作電壓?？?b class="flag-6" style="color: red">恢復
2021-05-14 08:11:44
高壓二極管反向恢復時間測試儀滿足國家標準：GB/T 4023-1997，使用矩形波法測試反向恢復時間。一：主要特點A：測量多種高速高壓二極管 B：二極管反向電流峰值50mA（定制）C：二極管正向
2015-03-11 14:02:20
已經上傳了驅動部分的原理圖，我剛進一個做MOS的公司，有個客戶是這樣的，他說我們的管子溫度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比較大，反向恢復損耗比較高，有什么辦法可以降低嗎，讓MOS的溫度的降下來
2019-09-11 04:23:31
`<div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復時間 肖特基二極管和一般二極管的差異在于反向恢復時間，也就是肖特基二極管由流過正向電流的導通狀態(tài)，切換到不導通狀態(tài)所需的時間
2018-11-02 11:54:12
整流二極管的反向恢復過程
2021-01-08 06:22:44
測量一個同步降壓轉換器中的反向恢復不太容易。電流探頭太大，并且會大幅增加功率級環(huán)路中的電感。而且電流探頭的帶寬也不夠。使用一個分流電阻器怎么樣？這聽起來是可行的，不過你需要確保這個器件不會引入過大
2022-11-17 06:53:17
連線的電源短路。圖2顯示的是經修改的評估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復測量的經修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測技術圖4顯示的是開關
2018-09-03 15:17:37
拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣
2020-10-27 06:43:42
一、二極管從正向導通到截止有一個反向恢復過程在上圖所示的硅二極管電路中加入一個如下圖所示的輸入電壓。在0―t1時間內，輸入為+VF，二極管導通，電路中有電流流通。 設VD為二極管正向壓降（硅管為
2020-02-25 07:00:00
請教一下大佬二極管的反向恢復時間是什么意思？
2023-04-04 14:39:39
超高速二極管反向恢復時間測試儀一：主要特點A：測量多種二極管B：二極管反向電流2.5~10mAC：二極管正向電流2.5~50mA D：測量精度1nSE：二極管接反、短路開路保護F：示波器圖形顯示G
2015-03-11 13:56:18
測量電路如下圖。由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經過隔直電容器C加脈沖信號，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時刻到IR=Irr時刻所經歷的時間。當IRM為一定時，反向恢復電荷愈小，反向恢復時間就愈短。
2019-10-11 13:08:35
二極管反向恢復時間及簡易測試在開關電路中應用的二極管，反向恢復時間是一個主要參數(shù)。用圖示儀器直接觀察特性曲錢是理想的測試方法，但需要專用測試設備。本文闡述了二
2008-11-19 18:09:16
115 :本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速二極管的反向恢復參數(shù)與使用條件的關系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:0939 測量功率二極管的反向恢復時間簡單有效方法
在互聯(lián)網(wǎng)上很少看到測量二極管的反向恢復時間(trr and Irr)簡單有效方法。一些在網(wǎng)上提供的方法,或者需要特別的
2009-11-11 09:48:31100 超快速二極管的反向恢復特性摘要:本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 恒流工作模式和脈沖恒流工作模式， 測試二極管反向恢復時間穩(wěn)定可靠。 二 應用范圍 高速信號二極管 三 測量原理 它包括下降
2023-07-11 11:43:47
一 概述DI-1000D 是在 DI-1000的基礎上進一步改進的二極管反向恢復測試儀，相比較DI-1000，它配備的電腦，可通過電腦設定 di/dt,If，等參數(shù)，它可以自動測試二極管，工作最高
2023-10-16 14:52:16
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