本文我們將根據使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結果，來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應的確認工作也基于上次內容，因此請結合
2020-12-21 14:25:45
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GaN FET 實現了高頻電源轉換器設計。憑借出色的開關特性和零反向恢復損耗，這種輕量級設計具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 12:03:511366 反向恢復過程： ? ? 通常把二極管從正向導通轉為反向截止所經過的轉換過程稱為反向恢復過程 。由于反向恢復時間的存在，使二極管的開關速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復時間長，那就
2022-12-10 17:06:3814754 
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統的硅快速恢復二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復特性。當器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有反向恢復功率，反向恢復時間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復時間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231748 
除了上面的伏安特性曲線以外，對于二極管，你還需要知道兩個特性：二極管電容和反向恢復時間。這兩個特性掌握了之后，那對于通常的二極管來說，你該知道的基本上就算都知道了。
2023-02-14 11:44:27649 
二極管的反向恢復時間Trr是指二極管截止后，從導通到關斷所用的時間。做開關電源的都知道，這個參數很重要，但雅帆為了寫這篇文章，查了很多二極管資料，里面都沒有標出。自己動手豐衣足食，測試過程與大家
2023-04-12 09:06:145600 超快恢復二極管是一種具有開關特性好、反向恢復時間超短的半導體二極管，常用來給高頻逆變裝置的開關器件作續流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器，使開關器件的功能得到充分發揮。超快恢復二極管是用電設備
2023-07-08 10:08:331014 
二極管正向導通時，電子存儲在P區，空穴存儲在N區，此現象叫做電荷存儲效應。外加反向電壓時，電子和空穴分別往相反方向移動，形成反向漂移電流，同時與其他多數載流子復合，待電子和空穴明顯減小后，反向恢復過程完成，二極管截至。
2023-10-18 09:41:502209 
基于橋式結構的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統，同步Buck變換器的續流開關管、以及次級同步整流開關管， 其體內寄生的二極管都會經歷反向電流恢復的過程。
2023-12-04 16:05:40821 
反向恢復時間就是存儲電荷耗盡所需要的時間。二極管和一般開關的不同在于,"開"與"關"由所加電壓的極性決定, 而且"開"態有微小的壓降Vf
2019-12-03 10:16:05
編輯-Z快恢復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒，超快恢復二極管SFP6006的反向恢復電荷進一步降低，使其trr可低至幾十納秒。從內部結構上看，快恢復可分為單管和對管（也稱雙管）兩種，雙管內有兩個
2021-09-10 16:13:18
了這兩個概念后，從電路的角度去理解二極管的反向恢復過程就很簡單了。 這時候你可能會問“二極管反向恢復的瞬間會不會造成橋臂直通啊？”是的，當然會了。雖然是“橋臂直通”，但是沒有危險，因為時間太短了，也就
2020-12-08 15:44:26
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要
2018-11-29 14:34:32
【實例分析】抑制功率二極管反向恢復的3種方法大比拼！引言高頻功率二極管在電力電子裝置中的應用極其廣泛。但PN結功率二極管在由導通變為截止狀態過程中，存在反向恢復現象。這會引起二極管損耗增大，電路效率
2017-08-17 18:13:40
為什么普通整流二極管都沒標反向恢復時間？
2023-04-20 16:43:24
二極管是單向導通，那么反向恢復時間是什么，需要怎么測試
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢復過程？二極管在開關轉換過程中出現的反向恢復過程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復時間(Trr)：35nS引線數量：3 二極管SFF3006反向恢復過程，現代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost開關電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產生的反向恢復電流的di/dt遠比輸出二極管D反向恢復電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我們詳細討論了二極管的結電容：勢壘電容和擴散電容。我們也知道了數據手冊中所給出的結電容參數，它的大小和反向恢復時間沒有關系。如下表所示：序號種類型號結電容反向恢復時間封裝品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
一、二極管的反向恢復時間①舉例理解如上圖，在二極管正極輸入正負脈沖方波信號，理想二極管輸出應該是高電平和低電平，但實際上二極管有一個反向恢復時間trr。如上圖，在電壓從正向突然變成負向的瞬間，二極管
2023-02-15 14:24:47
看起來好像SPICE沒有對這個恢復進行正確建模。在本系列的第2部分，我將詳細介紹在真實電路中測量反向恢復的方法，然后將一個基于MOSFET的標準同步降壓轉換器與全新的LMG5200進行比較。其它資源：了解LMG5200的用戶友好界面學習具有GaN半橋功率級EVM的用戶指南挖掘研究更多的GaN博客
2018-09-03 15:17:44
轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
或者說過程，我們稱之為反向恢復過程。只要是雙極型器件，就會有非平衡載流子的注入，那么就存在所謂的反向恢復過程。這種特性嚴重限制了器件在高頻需求下的性能，我們要做的就是研究并減小反向恢復這個過程的時間。(a
2023-02-14 15:46:54
對于二極管來說，加在其兩端的電壓由正向變到反向時，響應時間一般很短，而相反的由反向變正向時其時間相對較長，此即為反向恢復時間，當二極管用做高頻整流等時，要求反向恢復時間很短，此時就需要快恢復二極管
2021-06-30 13:51:20
產生反向恢復電流Irr，會明顯增大對管開關管的開通損耗，降低整個系統的效率。 可見，在圖騰柱無橋PFC中，現有硅基IGBT配合硅基FRD或超結MOSFET作為主開關管的傳統IGBT解決方案已很難再進
2023-02-28 16:48:24
MOSFET相比，GaN的優勢包括：低輸入和輸出電容，減少開關損耗，實現更快的開關頻率。接近0的反向恢復電荷，無反向恢復損耗，降低D類逆變器/放大器的損耗。由于較低的柵極-漏極電容，大大降低了開關損耗
2019-07-29 04:45:02
二極管反向恢復時間測試儀 長春艾克思科技有限責任公司滿足國家標準：GB/T8024-2010，使用矩形波法測試反向恢復時間。一：主要特點A：測量多種二極管B：二極管反向電流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
開通造成橋臂短路； 通過優化 PCB 布局減小寄生電感能有效減小驅動振蕩[3]，但在硬開關場合依舊存在較大電壓過沖； 而且 GaN HEMT 的反向導通損耗往往高于同電壓等級的 MOSFET，尤其是工作
2023-09-18 07:27:50
單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。
2021-05-13 06:18:10
如何選擇開關電源次級輸出的整流二極管的反向恢復時間？
2023-04-20 16:41:42
如何選擇開關電源次級輸出的整流二極管的反向恢復時間？
2023-05-15 17:47:45
?快恢復二極管反向恢復時間（tr）的定義：電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。在快恢復二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
快恢復二極管與普通整流二級管最大的區別就是快恢復二極管的反向恢復時間。那么快恢復二極管的反向恢復時間是如何定義的呢？下面來給大家普及一下基礎知識：快恢復二極管反向恢復時間（trr）的定義：電流
2021-08-13 17:15:07
二極管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較...
2021-09-09 06:52:46
二極管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較低
2015-11-27 17:55:42
快恢復二極管是在P型、N型硅材料中增加了基區I，構成P—I—N硅片結構。由于基區很薄，反向恢復電荷很少，不僅大大減小了反向的恢復時間，還降低了瞬態正向電壓，使管子能夠承受很高的反向工作電壓。快恢復
2021-05-14 08:11:44
高壓二極管反向恢復時間測試儀滿足國家標準：GB/T 4023-1997，使用矩形波法測試反向恢復時間。一：主要特點A：測量多種高速高壓二極管 B：二極管反向電流峰值50mA（定制）C：二極管正向
2015-03-11 14:02:20
已經上傳了驅動部分的原理圖，我剛進一個做MOS的公司，有個客戶是這樣的，他說我們的管子溫度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比較大，反向恢復損耗比較高，有什么辦法可以降低嗎，讓MOS的溫度的降下來
2019-09-11 04:23:31
`<div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復時間 肖特基二極管和一般二極管的差異在于反向恢復時間，也就是肖特基二極管由流過正向電流的導通狀態，切換到不導通狀態所需的時間
2018-11-02 11:54:12
整流二極管的反向恢復過程
2021-01-08 06:22:44
測量一個同步降壓轉換器中的反向恢復不太容易。電流探頭太大，并且會大幅增加功率級環路中的電感。而且電流探頭的帶寬也不夠。使用一個分流電阻器怎么樣？這聽起來是可行的，不過你需要確保這個器件不會引入過大
2022-11-17 06:53:17
連線的電源短路。圖2顯示的是經修改的評估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復測量的經修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測技術圖4顯示的是開關
2018-09-03 15:17:37
拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現諸如圖騰柱無橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣
2020-10-27 06:43:42
一、二極管從正向導通到截止有一個反向恢復過程在上圖所示的硅二極管電路中加入一個如下圖所示的輸入電壓。在0―t1時間內，輸入為+VF，二極管導通，電路中有電流流通。 設VD為二極管正向壓降（硅管為
2020-02-25 07:00:00
請教一下大佬二極管的反向恢復時間是什么意思？
2023-04-04 14:39:39
超高速二極管反向恢復時間測試儀一：主要特點A：測量多種二極管B：二極管反向電流2.5~10mAC：二極管正向電流2.5~50mA D：測量精度1nSE：二極管接反、短路開路保護F：示波器圖形顯示G
2015-03-11 13:56:18
測量電路如下圖。由直流電流源供規定的IF，脈沖發生器經過隔直電容器C加脈沖信號，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時刻到IR=Irr時刻所經歷的時間。當IRM為一定時，反向恢復電荷愈小，反向恢復時間就愈短。
2019-10-11 13:08:35
二極管反向恢復時間及簡易測試在開關電路中應用的二極管，反向恢復時間是一個主要參數。用圖示儀器直接觀察特性曲錢是理想的測試方法，但需要專用測試設備。本文闡述了二
2008-11-19 18:09:16
115 :本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速二極管的反向恢復參數與使用條件的關系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:0939 測量功率二極管的反向恢復時間簡單有效方法
在互聯網上很少看到測量二極管的反向恢復時間(trr and Irr)簡單有效方法。一些在網上提供的方法,或者需要特別的
2009-11-11 09:48:31100 超快速二極管的反向恢復特性摘要:本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 恒流工作模式和脈沖恒流工作模式， 測試二極管反向恢復時間穩定可靠。 二 應用范圍 高速信號二極管 三 測量原理 它包括下降
2023-07-11 11:43:47
一 概述DI-1000D 是在 DI-1000的基礎上進一步改進的二極管反向恢復測試儀，相比較DI-1000，它配備的電腦，可通過電腦設定 di/dt,If，等參數，它可以自動測試二極管，工作最高
2023-10-16 14:52:16
抑制功率二極管反向恢復幾種方案的比較
0 引言
高頻功率二極管在電力電子裝置中的應用極其廣泛。但PN結功率二極管在由導通變為
2009-07-06 08:14:172171 
日前，東芝開發了提高內置二極管恢復特性的構造MOSFET“DTMOS”，并將于5-14日至16日在PCM 2013大會上展示。據悉，該產品耐壓為600V，縮短了內置二極管反向恢復時間。
2013-05-20 11:40:33885 零電壓零電流轉換軟開關技術中二極管反向恢復的影響，感興趣的小伙伴們可以瞧一瞧。
2016-11-05 17:45:102 快恢復二極管（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同
2018-01-24 10:09:0133807 
從DO-41封裝尺寸可以很容易地推斷出額定功率為瓦特。注入各種電流并測量正向壓降也很容易，以確定它不是肖特基二極管。串聯幾個電源并逐漸增加反向電壓（在達到齊納閾值時具有足夠的串聯電流限制電阻）證明它不是齊納二極管 - 至少不低于200伏。
2019-08-07 15:40:028812 
此外，與硅不同，GaN沒有體二極管，其在AlGaN/GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導電流（稱為“第三象限”操作）。因此，GaN沒有反向恢復電荷（QRR），使其非常適合硬開關應用。
2020-04-29 16:07:463490 測試二極管的反向恢復特性一般都需要復雜的測試設備。必須能夠建立正向導通條件、正向閉鎖狀態、及兩者間的過渡。還需要有一種從所得到的波形中提取特征的手段。總而言之，這并不是一項很簡單的例行操，作應由專業人員來完成這項復雜的工作。這個事實說明了工程師們為什么通常都會依賴于公布的數據。
2020-08-03 08:49:544278 
將寬禁帶半導體器件SiC肖特基二極管引入到直流開關電源的PFC電路中，可以在不改變電路拓撲和工作方式的情況下，有效解決硅二極管反向恢復電流給電路帶來的許多問題，極大地改善電路的工作品質。
2020-10-02 16:11:007941 
電子發燒友網為你提供快恢復二極管反向恢復時間及參數資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:49:2421 ，反向恢復時間更小。 如此一來，使用肖特基二極管肯定損耗是更小的，溫度更低，也不會燙成狗，這樣整個開關電源效率也更高。 上面這一段話，想必大家都知道，不過僅從文字上面看，有一種模糊，不那么透徹的感覺，今天就主要結合實例，對
2021-08-16 11:02:3812242 
，它有普通整流二極管、快恢復二極管、超快恢復二極管、肖特基二極管等。那么什么是二極管的反向恢復時間呢？它和結電容之間有什么關系呢？下面列舉常用二極管的反向恢復時間： 普通二極管：反向恢復時間一般 500ns以上； 快恢復二極管：反向
2021-09-22 15:07:0331363 
快恢復二極管工作原理及特點作用快恢復二極管（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管
2021-11-07 13:35:5929 有更加深入的了解時，這個波形變得復雜了很多。不斷困擾開關轉換器的一個特別明顯的非理想狀態就是同步降壓或升壓轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此
2021-11-10 09:40:225677 
二極管從正向導通到截止有一個反向恢復過程
2022-02-09 11:34:043 內部二極管的trr特性。 01?反向恢復時間trr對逆變器電路的影響 在逆變器電路中，開關器件的反向恢復時間trr（Reverse recovery time）特性對損耗的影響很大。在這里，我們將使
2022-08-13 22:50:201790 
救世主GaN來了！第1部分：體二極管反向恢復。
2022-11-03 08:04:342 我們開設了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反向恢復特性，并確認MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:081646 
本文我們將根據使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結果，來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應的確認工作也基于上次內容，因此請結合上一篇文章的內容來閱讀本文。
2023-02-10 09:41:08662 
在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，重點關注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數校正（PFC）電路等是兩個MOSFET串聯連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導致導通損耗增加的現象。
2023-02-13 09:30:041664 
本文的關鍵要點?在LLC轉換器中，如果偏離預期的諧振條件，MOSFET體二極管的反向恢復電流會引發直通電流，這可能會造成開關損耗增加，最壞的情況下可能會導致MOSFET損壞。
2023-02-13 09:30:14919 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
二極管的反向恢復過程，實際上是其工作點從導通過度到截止。 二極管從處于導通狀態到處于關斷的狀態，不是在一個時間點上完成的，而是在一段時間內完成的，這段時間伴隨著二極管兩端的電壓和流過它的電流的劇烈
2023-02-23 09:51:452 反向恢復時間（trr）：正向二極管電流衰減為零后，由于兩層中存在存儲電荷，二極管繼續反向導通。反向流動的時間稱為反向恢復時間（trr）。二極管保持其阻斷能力，直到反向恢復電流衰減為零。
2023-02-23 15:50:305422 
二極管的反向恢復時間是指在二極管從正向導通到反向截止狀態時，當反向電壓被突然移除或者反向電流被截止時，二極管內部存在的載流子需要一定時間從快速流動狀態回復到均衡狀態的時間。在這個過程中，二極管的反向電流會迅速減小，直到達到零電流的狀態。
2023-02-25 15:38:464260 內部二極管的trr特性。01 ? 反向恢復時間trr對逆變器電路的影響 在逆變器電路中，開關器件的反向恢復時間trr（Reverse recovery time）特性對損耗的影響很大。在這里，我們將使用唯
2023-03-03 09:59:130 鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597，我將開始在24V至5V/4A電源轉換器中測量反向恢復。
2023-04-15 09:15:122505 
肖特基二極管的反向恢復時間表示的是從正向導通狀態切換到反向截止狀態時所需的時間。它是指當肖特基二極管從正向導通到反向截止時，電流停止流動，并且由于電荷存儲效應而需要一定的時間才能完全恢復到截止狀態的時間。
肖特基二極管是一種特殊構造的二極管，具有快速開關速度和低反向恢復時間的特點。
2023-08-24 15:45:111713 并不能像理想二極管那樣完美的工作，它在正向偏置電壓瞬間變為反向偏置電壓的時候，并不能立刻恢復到截止狀態，這里存在一個逐漸轉變的過程，這個過程我們稱之為反向恢復過程。 反向恢復過程 通常我們把二極管從正向導通轉為反
2023-11-01 16:48:03534 
由于二極管外加正向電壓時，載流子不斷擴散而存儲了大量的電荷，因此導致了反向恢復存在一個過程。 當外加正向電壓時，Ｐ區的空穴向Ｎ區擴散，Ｎ區的電子向Ｐ區擴散。這樣，不僅使勢壘區（耗盡區）變窄，而且
2023-11-01 16:56:12442 
【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的反向恢復特性
2023-12-13 14:42:08213 
器件損壞。為了保護二極管不受反向擊穿的影響，可以使用二極管反向恢復電路。 二極管反向恢復電路是一種用于減小反向恢復電流的電路，通常由二極管和電感器構成。當二極管處于正向導通狀態時，電感器存儲了能量；當二極管從導
2023-12-18 11:23:57596 二極管反向恢復電流是指二極管在截止狀態突然轉為正向偏置時，會出現一個瞬時的反向電流。這個反向電流也被稱為反向恢復電流或逆向恢復電流。 二極管是一種具有兩個電極（正級和負級）的電子元件，用于將電流限制
2023-12-22 15:08:04608 生反向恢復過程。 反向恢復過程是指當二極管的正向電壓減小到零或反向電壓增加到零時，電流不能立即停止流動，而是經過一個反向電流的過程。這個過程通常包括兩個階段：反向恢復時間和存儲時間。 反向恢復時間（Recovery Time）：反
2024-01-12 17:06:11655 
當對二極管施加正向電壓時，電子和空穴會不斷擴散并存儲大量電荷，從而導致反向恢復過程的存在。 在施加正向電壓時，P區的空穴向N區擴散，N區的電子向P區擴散。這使得勢壘區（耗盡區）變窄，并在P區和N區內
2024-01-12 17:17:25320 二極管的反向恢復時間（Reverse Recovery Time）是衡量其從導通狀態切換到截止狀態時性能的一個重要參數。 反向恢復時間是指二極管從正向導通狀態切換到反向截止狀態時，反向電流
2024-01-31 15:15:47472 
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