本文介紹了一種多級圖騰柱PFC
拓?fù)?/b>，該拓?fù)?/b>利用硅MOSFET的簡單性和成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅(qū)動方法，實現(xiàn)了與使用寬帶隙半導(dǎo)體的傳統(tǒng)電路相比，通常具有相當(dāng)?shù)男屎透偷某杀尽?/div>2022-10-19 17:44:07
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對于開關(guān)電源拓?fù)?/b>來說：電感器、開關(guān)管和二極管之間的節(jié)點被稱為交換節(jié)點；
2023-05-30 15:59:27556 
VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動回路中的風(fēng)險，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個產(chǎn)生Eoff的開關(guān)動作。ZVS和ZCS拓?fù)?/b>在降低MOSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢。不過
2018-08-27 20:50:45
針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)?/b>中的開關(guān)損耗，并對電路
2021-06-16 09:21:55
= -Ldi/dt)，從而延遲晶體管的關(guān)斷。這也會增大控制FET的功耗，如圖2所示。更高的功耗會導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率降低。另外，由于雜散電感，電路出現(xiàn)尖峰電壓的可能性很高。如果這些尖峰電壓超過器件的額定值，可能會
2019-05-13 14:11:31
下面到電源三大拓?fù)?/b>中的Boost了，Boost在英文里是提高的意思，從字面就可看出，Boost拓?fù)?/b>就是升壓，Boost電路的輸出一定是大于輸入的。說得無益，直接上圖，先來認(rèn)識一下Boost拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)
2021-10-28 08:37:26
、Forward 正激變換變壓器■初級電感很高，因為無需存儲能量。■磁化電流 (i1) 流入 “磁化電感”，使磁芯在初級開關(guān)斷開后去磁 (電壓反向)。20、總結(jié)■此處回顧了目前開關(guān)式電源轉(zhuǎn)換中最常見的電路拓?fù)?/b>
2019-07-02 09:07:12
`<font face="Verdana">電源管理－為直流電源轉(zhuǎn)換器選擇正確的電感與電容<br/>隨著
2009-10-05 08:07:32
可以使用它來代替升壓轉(zhuǎn)換器。SEPIC 轉(zhuǎn)換器的特點是單開關(guān)工作和連續(xù)輸入電流，從而帶來較低的電磁干擾 (EMI)。這種拓?fù)?/b>（如圖 1 所示）可使用兩個單獨的電感（或者由于電感的電壓波形類似），因此
2018-09-26 10:23:27
) 產(chǎn)生更高的效率 總之，SEPIC 轉(zhuǎn)換器中的耦合電感可以縮小電源的體積，降低電源的成本。電感并不需要緊密耦合。實際上，緊密耦合會增加電源內(nèi)的電流，從而使輸入濾波復(fù)雜化并降低效率。選擇合適漏電感值
2018-09-26 10:19:06
電源門控可以降低泄漏功耗嗎？有哪幾種情況采用PG能顯著減小泄漏功耗呢？
2022-02-11 06:34:36
設(shè)計技巧為什么能夠節(jié)省功耗？降低FPGA功耗的設(shè)計技巧有哪些？
2021-04-30 06:04:19
文章目錄1 Buck開關(guān)電源拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)分析1.1 ON狀態(tài)從暫態(tài)到穩(wěn)態(tài)分析1.2 OFF狀態(tài)從暫態(tài)到穩(wěn)態(tài)分析1 Buck開關(guān)電源拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)分析先來看一下Buck開關(guān)電源的拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，如下圖：1.1
2021-10-28 06:48:57
LED照明電路（臨界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例下面的電路摘自實際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過臨界模式（BCM）的PFC向
2022-04-09 13:36:25
方法存在一定的缺陷，就是電流會比較高。如，輸出電壓和輸入電壓相同時，電感和電源開關(guān)電流則為輸出電流的兩倍。這會對效率和功耗產(chǎn)生負(fù)面的影響。在許多情況下，圖7中的“降壓或升壓型”拓?fù)?/b>將緩和這些問題。在該
2018-10-09 14:28:20
、開關(guān)(FET)、電感及電容及電阻等分立元件用于執(zhí)行各自功能，而脈寬調(diào)制(PWM)穩(wěn)壓器用于控制電源轉(zhuǎn)換。電路中通常加入了變壓器的隔離型AC-DC電源轉(zhuǎn)換包含反激、正激及半橋等拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，參見圖3，其中反激
2018-10-15 16:21:36
LLC 拓?fù)?/b>廣泛應(yīng)用于各種功率轉(zhuǎn)換設(shè)備中，然而 LLC 拓?fù)?/b>在輕載及空載情況下，即使工作 頻率范圍很寬，往往仍然出現(xiàn)輸出電壓超出規(guī)格要求的現(xiàn)象。本文從理論上對引起該問題的原因 進(jìn)行了深入分析，證明
2020-10-27 08:04:36
Gross表示：“我們的極低雜散電感標(biāo)準(zhǔn)SP6LI封裝非常適合為用于高開關(guān)頻率、高電流和高效率應(yīng)用的SiC MOSFET器件改善性能，通過提供更小尺寸的電源系統(tǒng)解決方案，幫助客戶大幅降低設(shè)備需求。我們
2018-10-23 16:22:24
近來，LLC拓?fù)?/b>以其高效，高功率密度受到廣大電源設(shè)計工程師的青睞，但是這種軟開關(guān)拓?fù)?/b>對MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓?fù)?/b>。特別是在電源啟機(jī)，動態(tài)負(fù)載，過載，短路等情況下。CoolMOS
2021-08-23 09:23:12
漏源電壓保持截止時高電平不變，從圖1可以看出，此部分有VDS與ID有重疊，MOSFET功耗增大;t3-t4區(qū)間：柵極電壓從平臺上升至最后的驅(qū)動電壓(模塊電源一般設(shè)定為12V)，上升的柵壓使導(dǎo)通電
2019-09-25 07:00:00
關(guān)于開關(guān)電源的損耗問題一直困擾著無數(shù)工程師，今天結(jié)合電路來深入分析下開關(guān)損耗的改善辦法。輸入部分損耗1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大適當(dāng)設(shè)計共模電感，包括線徑和匝數(shù)2、放電電阻上的損耗在
2019-10-09 08:00:00
動作。ZVS和ZCS拓?fù)?/b>在降低MOSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢。不過ZVS的工作優(yōu)點在IGBT中沒有那么大，因為當(dāng)集電極電壓上升到允許多余存儲電荷進(jìn)行耗散的電勢值時，會引發(fā)拖尾沖擊電流
2017-04-15 15:48:51
，同時還具有低EMI工作的優(yōu)勢。該拓?fù)?/b>利用兩個電感，一個面向輸入，另一個則面向輸出，幫助濾除開關(guān)所產(chǎn)生的噪聲。這兩個電感有助于抑制耦合到輸入電源、可能連接的其他器件以及LED負(fù)載的EMI。還可在升壓
2019-09-25 13:58:43
的一個例子，因為當(dāng)開關(guān)打開時，輸入電流為零。Boost變換器的電感始終接在輸入回路中，但輸入電流是否連續(xù)取決于Boost是否工作在斷續(xù)還是連續(xù)。筆者建議大功率電源最好不要采用輸入電流斷續(xù)的拓?fù)?/b>，因為那些
2021-03-29 17:31:30
Mosfet管的導(dǎo)通關(guān)斷來控制Vsw的輸出，當(dāng)上管導(dǎo)通，下管關(guān)閉時，對電容進(jìn)行充電，電壓上升，當(dāng)上官關(guān)閉，下管導(dǎo)通，電容放電，維持電壓。通過這個原理我們就可以實現(xiàn)由高電平到低電平的電平轉(zhuǎn)換。因此，總結(jié)
2020-06-07 19:19:09
/Boost(升/降壓)，單端反激(隔離反激)，正激、推挽、半橋和全橋變化器。開關(guān)電源的拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，常見拓?fù)?/b>大約有14種，每種都有自身的特點和適用場合。選擇原則是要看是大功率還是小功率，高壓輸出還是低壓
2022-04-07 10:56:48
耦合電感器通常用于多相拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，以利用相位之間磁耦合消除電流紋波。通常，當(dāng)使用典型的分立電感器時，電流紋波消除僅發(fā)生在多相降壓轉(zhuǎn)換器的輸出端。當(dāng)這些電感器磁耦合時，電流紋波消除應(yīng)用于電路的所有元件
2019-01-17 19:33:19
][tr=transparent]半橋500852變壓器電感器[/tr][tr=transparent]全橋1000852變壓器電感器[/tr][/tr]表 1：10 種最常用的開關(guān)模式電源拓?fù)?/b>（數(shù)據(jù)來源
2018-06-19 09:38:48
磁 （電壓反向）。 二十二、總結(jié) ■ 此處回顧了目前開關(guān)式電源轉(zhuǎn)換中最常見的電路拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)。 ■ 還有許多拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，但大多是此處所述拓?fù)?/b>的組合或變形。 ■ 每種拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)包含獨特的設(shè)計權(quán)衡：1）施加
2022-12-22 12:07:25
兩個開關(guān)元件，一個磁性元件（單電源電感器而不是變壓器）和兩個電容器。顧名思義，倒置降壓拓?fù)?/b>類似于降壓轉(zhuǎn)換器。開關(guān)在輸入電壓和接地之間產(chǎn)生一個開關(guān)波形，然后由電感電容網(wǎng)絡(luò)濾除。區(qū)別在于輸出電壓被調(diào)節(jié)為
2020-07-13 07:00:00
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
如果有人問你使用什么拓?fù)?/b>來實現(xiàn)隔離的低功耗輸出，那么你首先想到的可能就是反激。雖然反激是一種極好的拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，具有成本低，元件數(shù)量少，易于添加額外輸出等優(yōu)點，但仍存在一些缺點。與回掃變壓器漏電感相關(guān)
2018-09-10 10:35:20
預(yù)測的下一狀態(tài)條件列舉狀態(tài)機(jī)，并選擇常態(tài)之間轉(zhuǎn)換位較少的狀態(tài)值。這樣，您就能夠盡可能減少狀態(tài)機(jī)網(wǎng)絡(luò)的轉(zhuǎn)換量（頻率）。確定常態(tài)轉(zhuǎn)換和選擇適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)值，是降低功耗且對設(shè)計影響較小的一種簡單方法。編碼形式越簡單
2012-01-11 11:59:44
在降低設(shè)計功耗的過程中，您是否充分利用了微控制器（MCU）中集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的所有功能？這篇博文將帶您了解如何借助集成模數(shù)器實現(xiàn)更低的功耗。在這篇博文中，我們將以MSP432P401R
2016-11-18 10:14:35
（單電源電感器而不是變壓器）和兩個電容器。顧名思義，倒置降壓拓?fù)?/b>類似于降壓轉(zhuǎn)換器。開關(guān)在輸入電壓和接地之間產(chǎn)生一個開關(guān)波形，然后由電感電容網(wǎng)絡(luò)濾除。區(qū)別在于輸出電壓被調(diào)節(jié)為低于輸入電壓的電位。即使輸出
2023-03-17 17:24:28
使用更緊湊的無源元件。有鑒于此，開發(fā)人員可以利用某些技術(shù)顯著降低功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗，從而降低成本。作者：Toshiba Electronics Europe GmbH歐洲LSI設(shè)計與工程中心首席工程師
2019-07-18 06:21:14
。 氮化鎵和功率轉(zhuǎn)換 在設(shè)計汽車轉(zhuǎn)換器時，尺寸、成本和可靠性是關(guān)鍵因素。為了滿足這些標(biāo)準(zhǔn)，最簡單的雙向拓?fù)?/b>;選擇同步降壓/反向升壓轉(zhuǎn)換器。最大化能源效率也至關(guān)重要，在這里，設(shè)計人員可以利用氮化鎵
2023-02-21 15:57:35
，同時還具有低EMI工作的優(yōu)勢。該拓?fù)?/b>利用兩個電感，一個面向輸入，另一個則面向輸出，幫助濾除開關(guān)所產(chǎn)生的噪聲。這兩個電感有助于抑制耦合到輸入電源、可能連接的其他器件以及LED負(fù)載的EMI。還可在升壓
2019-03-30 09:36:59
描述 此項 25W 的設(shè)計在反激式拓?fù)?/b>中使用 UCC28740 來最大限度降低空載待機(jī)功耗，并使用 UCC24636同步整流控制器來最大限度減少功率 MOSFET 體二極管傳導(dǎo)時間。此設(shè)計還使用來
2022-09-23 06:11:58
正激式開關(guān)電源拓?fù)?/b>里輸出有濾波電感L和續(xù)流二極管VD2，為什么反激式拓?fù)?/b>里面沒有這兩個元件呢？
2021-06-06 10:07:17
模式標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)格效率要求。電池供電型應(yīng)用的用戶希望獲得最長的運(yùn)行時間，而降低功耗可以直接延遲設(shè)備運(yùn)行時間。今天，我們都知道，使用同步整流器可以降低功耗，并提高散熱性能。低功耗應(yīng)用的降壓轉(zhuǎn)換器和控制器設(shè)計人
2013-08-12 15:05:53
MOSFET可以得到充分利用。此外，碳化硅MOSFET也可應(yīng)用更高的開關(guān)頻率，因而可以實現(xiàn)體積更小，更加緊湊的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計。 沒有免費(fèi)的午餐 當(dāng)然，世上是沒有免費(fèi)午餐的，在內(nèi)部體二極管和寄生參數(shù)方面
2023-03-14 14:05:02
。隨著這種拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)在應(yīng)用中越來越受歡迎，了解dv/dt電感導(dǎo)通問題變得越來越重要。在4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器中，dv/dt電感導(dǎo)通是由同步整流MOSFET在降壓段和升壓段快速升高的漏源電壓引起的。由于
2019-07-16 06:44:27
濾波電感。有了電容濾波器，LLC轉(zhuǎn)換器還可以使用額定電壓較低的整流器，從而降低系統(tǒng)成本。此外，次級側(cè)整流器可實現(xiàn)零電流轉(zhuǎn)換，大大減少了反向恢復(fù)損耗。利用LLC拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)的各項優(yōu)勢，可進(jìn)一步提高效率，降低輸出整流器的損耗。
2020-10-30 06:57:21
初級電感轉(zhuǎn)換器）也稱為 Zeta 轉(zhuǎn)換器，具有許多支持此功能的特性（圖 1）。對其工作原理及利用雙通道同步開關(guān)控制器ADP1877的實施方案進(jìn)行分析，可以了解其在本 應(yīng)用中的有用特性。圖1. 反相
2018-10-22 16:41:42
隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器歷來通過分立元件實施-分立驅(qū)動IC和分立功率MOSFET。這些器件被用于各種拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)。最主要的是“半橋”和“全橋”。許多云基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用采用半橋和全橋拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，如無線基站（遠(yuǎn)程
2018-10-24 08:59:37
確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細(xì)說明了上述概念。 `
2011-09-23 17:22:52
的系統(tǒng)不但大大降低了目前的功耗，而且在未來幾年中，仍能滿足繼續(xù)降低功耗的要求。如何利用FPGA滿足電信應(yīng)用中的降低功耗要求？掌握這些勢在必行！
2019-07-31 07:13:26
本篇應(yīng)用筆記介紹如何利用示波器檢測熱插拔電路MOSFET功耗和負(fù)載電容的精確值。
2021-05-08 08:48:00
有沒有人解答該如何利用電感式轉(zhuǎn)換器去提升LED轉(zhuǎn)換效率？
2021-04-12 07:14:58
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
的柵極引線即可實現(xiàn)該功能；參見圖3。第二步是在開關(guān)節(jié)點與接地之間加裝一個緩沖器（RSUB與CSUB）。緩沖器電路可以在轉(zhuǎn)換過渡期間抑制寄生電感和電容。
圖3：接通和關(guān)閉電路
除利用上述方法來降低開關(guān)
2018-08-31 19:55:41
電感很高，因為無需存儲能量。
磁化電流(i1)流入 “磁化電感”，使磁芯在初級開關(guān)斷開后去磁(電壓反向)。
結(jié) 語
本文回顧了目前開關(guān)式電源轉(zhuǎn)換中最常見的電路拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)。除此之外還有許多拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，但
2023-05-22 12:57:18
的考慮；交錯式拓?fù)?/b>，因兩級并聯(lián)工作，將功率元件（升壓電感、開關(guān)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管[MOSFET]和整流二極管）中的電流應(yīng)力降低了兩倍。圖1所示為兩種拓?fù)?/b>的簡化圖…
2022-11-10 06:26:18
MOSFET的開關(guān)瞬態(tài)特性分析 利用升壓轉(zhuǎn)換器，評估了封裝寄生電感對MOSFET開關(guān)特性的影響。圖2所示為傳統(tǒng)的TO247 MOSFET等效模型的詳情，以及升壓轉(zhuǎn)換器電路和寄生電感的詳情。對于
2018-10-08 15:19:33
（1）低功耗外圍器件的選用 完成同樣的功能，電路的實現(xiàn)形式有多種。例如，盡可能地將嵌入式系統(tǒng)的內(nèi)部存儲器RAM轉(zhuǎn)換為外部的閃存FLASH，因為在同樣條件下，讀內(nèi)部RAM比讀外部FLASH會帶來
2020-07-08 15:52:10
，反派拓?fù)?/b>可以用在輸出功率高達(dá)150W的電源中。它最大的優(yōu)點在于不需要接buck類拓?fù)?/b>都需要的輸出電感，使反激變換器結(jié)構(gòu)簡化、體積減小、成本降低。---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------文章來源：融創(chuàng)芯城微信公眾www.digiic.com
2017-09-01 13:34:04
有效提高變換器的轉(zhuǎn)換效率,并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓,并可利用其二次側(cè)的優(yōu)勢改善電源指標(biāo)同步整流從拓?fù)?/b>架構(gòu)角度可分為High side和Low side兩大類,但從控制策略角度來看，同步
2019-10-09 17:39:04
、總結(jié) ■此處回顧了目前開關(guān)式電源轉(zhuǎn)換中最常見的電路拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)。 ■還有許多拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，但大多是此處所述拓?fù)?/b>的組合或變形。 ■每種拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)包含獨特的設(shè)計權(quán)衡： 施加在開關(guān)上的電壓 斬波和平滑輸入輸出電流 繞組的利用率 ■選擇最佳的拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)需要研究：輸入和輸出電壓范圍電流范圍成本和性能、大小和重量之比
2021-05-11 06:00:00
換變壓器■初級電感很高，因為無需存儲能量。■磁化電流 (i1) 流入 “磁化電感”，使磁芯在初級開關(guān)斷開后去磁 (電壓反向)。21、總結(jié)■此處回顧了目前開關(guān)式電源轉(zhuǎn)換中最常見的電路拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)。■還有許多
2021-08-21 06:30:00
復(fù)雜性不僅可以使電源系統(tǒng)設(shè)計更加容易，而且還可讓無人機(jī)設(shè)計人員專注于無人機(jī)設(shè)計之其他部分，而不是在電源系統(tǒng)設(shè)計上花大量的時間;它不僅可節(jié)省設(shè)計完成時間，還可降低設(shè)計復(fù)雜性。 為了充分利用上述優(yōu)勢
2018-10-09 10:02:40
系統(tǒng)設(shè)計更加容易，而且還可讓無人機(jī)設(shè)計人員專注于無人機(jī)設(shè)計之其他部分，而不是在電源系統(tǒng)設(shè)計上花大量的時間；它不僅可節(jié)省設(shè)計完成時間，還可降低設(shè)計復(fù)雜性。 為了充分利用上述優(yōu)勢，Vicor模組電源
2018-10-09 10:31:55
：V = -Ldi/dt)，從而延遲晶體管的關(guān)斷。這也會增大控制FET的功耗，如圖2所示。更高的功耗會導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率降低。另外，由于雜散電感，電路出現(xiàn)尖峰電壓的可能性很高。如果這些尖峰電壓超過器件的額定值
2011-08-18 14:08:45
結(jié)構(gòu) 引言 功率MOSFET以其開關(guān)速度快、驅(qū)動功率小和功耗低等優(yōu)點在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)采用功率MOSFET橋式拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)時，同一橋臂上的兩個功率器件在轉(zhuǎn)換過程中，柵極驅(qū)動信號
2018-08-27 16:00:08
，這種拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)在主板上應(yīng)用廣泛，從CPU的電源供電到DDR的電源和終端供電都是通過該方式實現(xiàn)的。這是一種很成熟的電源轉(zhuǎn)換方式，可以很可靠地實現(xiàn)低電壓大電流的轉(zhuǎn)換。 在這種轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)中，MOSFET工作在飽和
2011-12-16 14:13:22
請問一下怎么利用CPLD降低處理器功耗？
2021-05-06 07:50:46
如何利用FPGA設(shè)計技術(shù)降低功耗？
2021-04-13 06:16:21
5、無源元件損耗??我們已經(jīng)了解MOSFET 和二極管會導(dǎo)致SMPS 損耗。采用高品質(zhì)的開關(guān)器件能夠大大提升效率，但它們并不是唯一能夠優(yōu)化電源效率的元件。圖1 詳細(xì)介紹了一個典型的降壓型轉(zhuǎn)換器IC
2021-12-31 06:19:44
/500 V）的最重要因素。應(yīng)該看到紋波電流的降低不僅是對規(guī)格的降額，而且更顯著的是由于功耗降低導(dǎo)致的溫度降低。對于DC/DC級，電感-電感-電容（LLC）拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)是首選，因為它具有降低的開關(guān)應(yīng)力
2019-05-22 06:30:00
。隨著這種拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)在應(yīng)用中越來越受歡迎，了解dv/dt電感導(dǎo)通問題變得越來越重要。在4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器中，dv/dt電感導(dǎo)通是由同步整流MOSFET在降壓段和升壓段快速升高的漏源電壓引起的。由于
2018-10-30 09:05:44
在本篇文章中，我將從不同方面深入介紹降壓、升壓和降壓-升壓拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)。降壓轉(zhuǎn)換器圖1是非同步降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖。降壓轉(zhuǎn)換器將其輸入電壓降低為較低的輸出電壓。當(dāng)開關(guān)Q1導(dǎo)通時，能量轉(zhuǎn)移到輸出端。 圖1
2019-03-19 06:45:06
非隔離DC-DC拓?fù)?/b>介紹 Buck型拓?fù)?/b>變換器 Buck型變換器的拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)如圖所示，Buck型變換器也稱降壓型電源拓?fù)?/b>。在開關(guān)管S導(dǎo)通時，二極管VD負(fù)極電壓高于正極反偏截止，此時電流經(jīng)過電感
2023-03-22 15:55:15
本文介紹的是如何利用模擬開關(guān)降低繼電器的功耗。
2009-04-20 11:35:28
31 利用超低電流、脈沖頻率調(diào)制(PFM) DC-DC轉(zhuǎn)換器降低待機(jī)功耗
摘要：本文介紹如何降低隔離型DC-DC電源的電流損耗以及如何提高這些電源在空載條件下的性能。針對當(dāng)前對
2009-09-18 08:39:552525 
無電感器的電源轉(zhuǎn)換器
利用一個555
2009-09-30 15:45:09437 
利用開關(guān)模式降壓轉(zhuǎn)換驅(qū)動器降低功耗并提高照明組件的驅(qū)動效率
當(dāng)輸入
2010-02-27 08:41:45594 
將雙開關(guān)正向主電源轉(zhuǎn)換器及反激式待機(jī)電源轉(zhuǎn)換器與高壓功率MOSFET集成
2016-05-11 18:00:0820 介紹 單端初級電感轉(zhuǎn)換器（SEPIC）是一個DC / DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，提供了一個積極的調(diào)節(jié)輸出電壓從輸入電壓變化從上到下輸出電壓。這種類型的轉(zhuǎn)換設(shè)計師使用電壓時很方便（例如，12伏）從一個不受
2017-06-08 11:37:4829 耦合電感電流驅(qū)動拓?fù)?/b>設(shè)計。
2018-05-29 09:38:369 在開關(guān)DC / DC轉(zhuǎn)換器的世界中，Zeta拓?fù)?/b>是SEPIC拓?fù)?/b>的一個鮮為人知的相對。兩個轉(zhuǎn)換器都提供可以大于，等于或小于V IN 的正輸出電壓，同時避免了降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器的復(fù)雜性和成本。然而，Zeta轉(zhuǎn)換器具有顯著降低輸出紋波電壓的優(yōu)勢。
2019-04-12 09:38:006402 
如今隨著節(jié)能環(huán)保要求的不斷提高，對于電源待機(jī)功耗也有著更進(jìn)一步的要求。Power Integration（PI）最新推出的CapZero 3系列產(chǎn)品可以通過降低開關(guān)電源中與X電容放電電阻相關(guān)的功耗，從而實現(xiàn)待機(jī)功耗滿足安規(guī)要求。
2019-10-05 15:55:003578 
行動裝置處理器功耗過高問題，可望藉由提升直流對直流（DC-DC）電源轉(zhuǎn)換器效能獲得改善。具有更低暫態(tài)響應(yīng)的DC-DC電源轉(zhuǎn)換晶片，由于輸出電壓不易產(chǎn)生波動，有助行動裝置處理器能在穩(wěn)定的低電壓下運(yùn)作，進(jìn)而達(dá)到省電的目的。
2021-03-15 09:41:422925 上一期我們介紹了MOSFET Driver，這一期我們將繼續(xù)介紹電源轉(zhuǎn)換器的核心器件–電感。視頻會分成上下兩期，這一期主要講實驗室電感的制作與選擇，希望對小伙伴們的測試選項帶來幫助。
2022-09-28 09:30:56410 從歷史上看，存在從 AC 到 DC 和 DC 到 DC 的首選電源轉(zhuǎn)換方法。這些都是由隨著時間演變的各種限制條件設(shè)定的。例如，有一天，“功率因數(shù)校正”僅在交流配電中實施，交流/直流電源的 PF 可以
2022-12-29 10:02:401051 
Nano，Nano：在模擬電源設(shè)計中降低功耗
2023-01-05 09:43:45421 交錯式多相轉(zhuǎn)換器或同步降壓轉(zhuǎn)換器通常用于為微處理器供電。然而，這些設(shè)計的電感中通常具有較大的紋波電流，因此轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗相對較高。降低開關(guān)損耗的一種替代方法是在多相轉(zhuǎn)換器中使用耦合扼流圈拓?fù)?/b>。耦合
2023-04-11 11:27:49689 
LLC的諧振電感和其他拓?fù)?/b>的電感的差別 LLC調(diào)試中需要注意的問題? LLC是一種在變換器中應(yīng)用的拓?fù)?/b>，它通過諧振電路實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換，與其他拓?fù)?/b>有明顯的區(qū)別。在LLC調(diào)試中，需要注意以下幾個問題
2023-10-22 12:52:171238 穩(wěn)定電源轉(zhuǎn)換的紋波降低技術(shù)
2023-11-29 12:00:16217 
性能提升，功耗降低！，這樣的MOSFET是你的最愛么？
2023-12-04 15:09:36114 
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