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影響25Q20D閃存芯片寫(xiě)入速度和使用壽命的因素有哪些?2025-01-22 16:48
影響25Q20D閃存芯片寫(xiě)入速度和使用壽命的因素有哪些?首先我們來(lái)談?wù)動(dòng)绊憣?xiě)入速度九個(gè)方面:存儲(chǔ)容量和架構(gòu):存儲(chǔ)容量的增加會(huì)導(dǎo)致芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復(fù)雜,從而影響寫(xiě)入速度。較大的閃存芯片在寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí),需要更多時(shí)間來(lái)定位和管理數(shù)據(jù)。此外,如果閃存的存儲(chǔ)架構(gòu)未經(jīng)優(yōu)化,同樣會(huì)限制寫(xiě)入速度。 -
Norflash閃存芯片HT25Q20D廣泛應(yīng)用在汽車(chē)電子領(lǐng)域2025-01-13 15:20
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華芯邦受邀出席參加新華社舉辦新質(zhì)生產(chǎn)力一周年觀察圓桌研討會(huì)2025-01-10 16:33
2024年12月22日,AIGC青年大學(xué)生就業(yè)創(chuàng)業(yè)促進(jìn)行動(dòng)成果展在深圳開(kāi)幕。此次活動(dòng)來(lái)自政府、企業(yè)界、學(xué)術(shù)界及其他各領(lǐng)域的近500名代表聚集一堂,共同探討促進(jìn)青年就業(yè)和創(chuàng)業(yè)的新策略。新華網(wǎng)與人民網(wǎng)對(duì)此次大會(huì)進(jìn)行報(bào)道,進(jìn)一步擴(kuò)大活動(dòng)的影響力。會(huì)議特別邀請(qǐng)了行業(yè)內(nèi)權(quán)威人士,其中有華芯邦董事長(zhǎng)賴澤聯(lián),專注于數(shù)模混合芯片設(shè)計(jì)與先進(jìn)封測(cè)技術(shù),致力于推動(dòng)集成電路中試平臺(tái)