碳化硅器件在新能源車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的應(yīng)用
隨著全球及國內(nèi)在新能源汽車、新能源發(fā)電和儲(chǔ)能等終端市場(chǎng)需求的快速增長，行業(yè)對(duì)碳化硅襯底需求呈現(xiàn)出持續(xù)....
SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展
功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。
面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)
高性能陶瓷基板具有優(yōu)異的機(jī)械、熱學(xué)和電學(xué)性能，在電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，可以支撐和固定半導(dǎo)體....
基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)
第三代半導(dǎo)體，具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定....
Micro LED顯示技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用趨勢(shì)
Micro LED具有低功耗、高亮度、高分辨率等優(yōu)點(diǎn)，有數(shù)據(jù)顯示，受智能穿戴和超高清大屏顯示需求影響
GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管
近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈....
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等....
氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資
近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成....
IDC預(yù)測(cè)2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)八大趨勢(shì)
根據(jù)IDC（國際數(shù)據(jù)資訊）最新研究顯示，隨著全球人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）需求爆發(fā)式提升....
GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器研究
以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)，高電子飽和速度，高頻和高功率等特性，在射頻和電力電子器件....
增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)展
作為寬帶隙材料，GaN具有擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開關(guān)頻率高，以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。
助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進(jìn)展
GaN性能優(yōu)異，在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛，發(fā)展?jié)摿薮螅贿M(jìn)一步發(fā)展，需提升材料質(zhì)量，制備高質(zhì)量氮....
產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能？
由于其寬帶隙和優(yōu)異的材料特性, SiC基功率電子器件現(xiàn)在正成為許多殺手級(jí)應(yīng)用的后起之秀，例如汽車、光....
具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC....
陳敬教授：面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)
近日，在第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇開幕大會(huì)上，香港科技大學(xué)講席教授陳....
清軟微視周繼樂：化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無損檢測(cè)技術(shù)
清軟微視是清華大學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體視覺領(lǐng)域量檢測(cè)軟件與裝備研發(fā)。其自主....
淺談寬禁帶半導(dǎo)體涉及到的幾個(gè)基礎(chǔ)問題
功率電子材料和器件研發(fā)基本與國際同步，GaN功率器件邁向更廣的應(yīng)用領(lǐng)域，更全電壓等級(jí)，從當(dāng)前100V....
全球SiC晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)2030年達(dá)21億美元！市場(chǎng)+技術(shù)趨勢(shì)深度分析
高溫、高頻和高功率應(yīng)用需求：碳化硅在高溫、高頻和高功率電子器件中表現(xiàn)出色，因此受到這些應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛....
小米汽車來了！碳化硅助力整車低能耗
值得注意的是，在動(dòng)力方面，根據(jù)申報(bào)信息顯示，小米SU7提供單電機(jī)后驅(qū)和雙電機(jī)四驅(qū)可選，其中單電機(jī)最大....
基于晶圓級(jí)高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實(shí)現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件
氧化鎵是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場(chǎng)強(qiáng)遠(yuǎn)高于GaN，不僅可在更高場(chǎng)強(qiáng)、更高工....
華為新一代碳化硅電機(jī)發(fā)布：22000轉(zhuǎn)/分、零百加速3.3秒
電機(jī)將首發(fā)搭載于智界S7，四驅(qū)版配有前150千瓦交流異步電驅(qū)系統(tǒng)，后215千瓦永磁同步電驅(qū)。得益于此....
工商網(wǎng)監(jiān)