--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 帶DC/DC隔離電源 系統(tǒng)只需要提供數(shù)字5V即可
- 1800VDC 峰值隔離
- 高共模瞬變抑制 CMTI≥50KV/μS
- 最高工作溫度可達 200℃
- 能實現(xiàn) IGBT管/SiC-MOS管的負電壓關(guān)斷
- 輸入輸出 信號隔離
- 充放電時間快 延遲時間短:(tr、tf≤50nS)
- 0-100%占空比應(yīng) 用適合高壓大功率開關(guān)應(yīng)用
- 最高工作頻率 HJ393A:500KHz; HJ393B:800KHz;
- 瞬態(tài)峰值驅(qū)動電流 HJ393A:±9A; HJ393B:-2.5A/+5A;
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
HJ393A/B/C是耐高溫SiC-MOSFET/IGBT隔離式驅(qū)動器,內(nèi)含DC/DC驅(qū)動、變壓器、整流濾波、高速數(shù)字隔離和柵驅(qū)動器,實現(xiàn)單電源+5V供電。該電路內(nèi)部產(chǎn)生隔離的VCC(+16V~+20 V)正電源電壓和VEE(-3V~-6V)負電源電壓。HJ393A能將最大500KHz占空比為0-100%的TTL /CMOS電平PWM信號轉(zhuǎn)換成隔離的VCC到VEE的驅(qū)動信號,HJ393B最大輸入頻率為800KHz,HJ393C最大輸入頻率為1MHz。由于超寬的禁帶能級,使得用SiC材質(zhì)制作的NMOS管的正向跨導(dǎo)比傳統(tǒng)的Si材質(zhì)的小,故為了達到額定的ID電流,那么需要的柵源電壓要大一些。另外,為了保證在Tj≥250℃下MOS管能夠可靠關(guān)斷,保證高溫下輸入低電平的噪聲容限,SiC-MOS管需要一個負偏壓關(guān)斷,這點類似于IGBT管。該器件可滿足SiC-MOS管/IGBT管柵極驅(qū)動的要求,確保SiC-MOS管/IGBT管的可靠導(dǎo)通和關(guān)斷。其最大瞬態(tài)峰值驅(qū)動電流為4A,且具有較高的隔離度和抗擾度,確保在高頻PWM信號和D極高電壓的情況下電路可靠工作。主要特點有:
- 自帶DC/DC隔離電源
- 1800VDC峰值隔離
- 高共模瞬變抑制:CMTI≥50KV/μS
- 最高工作溫度可達200℃
- 輸入輸出信號隔離
- 0-100%占空比應(yīng)用
- 能實現(xiàn)IGBT管/SiC-MOS管的負電壓關(guān)斷
- 最高工作頻率達HJ393A:500KHz,HJ393B:800KHz,HJ393C:1MHz
- 瞬態(tài)峰值驅(qū)動電流HJ393A:±9A,HJ393B:-2.5A/+5A,J393C:±1.5A
- 充放電時間快,延遲時間短:(tr、tf≤50nS)
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