產(chǎn)品型號(hào): Si2399CDS-T1-GE3-VB
絲印: VB2355
品牌: VBsemi
參數(shù): SOT23；P—Channel溝道，-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
封裝: SOT23

詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：
Si2399CDS-T1-GE3-VB 是一款 P-Channel 溝道 MOSFET，采用 SOT23 封裝。其主要參數(shù)包括最大耐壓 -30V，最大漏極電流 -5.6A，漏極-源極電阻 RDS(ON) 在 VGS=10V 和 VGS=20V 時(shí)分別為 47mΩ。閾值電壓 Vth 為 -1V。

應(yīng)用領(lǐng)域：
這款產(chǎn)品適用于需要 P-Channel MOSFET 的電路設(shè)計(jì)，特別是在需要控制負(fù)載電流的應(yīng)用中。常見的應(yīng)用領(lǐng)域包括電源管理、開關(guān)電源和功率放大器等。

注意: 在具體應(yīng)用前，請(qǐng)仔細(xì)閱讀產(chǎn)品手冊(cè)和規(guī)格書，以確保正確的使用和性能。