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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BUK661R6-30C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### BUK661R6-30C-VB 產品簡介

**產品名稱**: BUK661R6-30C-VB

**封裝**: TO-263

**配置**: 單極N溝MOSFET

BUK661R6-30C-VB是一款高性能N溝MOSFET,設計用于需要高電流處理和低導通電阻的應用。該MOSFET采用TO-263封裝,利用先進的Trench技術,提供卓越的導通電阻和電流處理能力,非常適合高效能和高可靠性的電子電路。

### 詳細參數說明

- **V_DS(漏源電壓)**: 30V  
 MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。

- **V_GS(柵源電壓)**: ±20V  
 MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。

- **V_th(柵極閾值電壓)**: 1.7V  
 使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓。

- **R_DS(ON)(漏源導通電阻)**:
 - 3.2mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 2.3mΩ @ V_GS = 10V  
 MOSFET在導通狀態下漏極與源極之間的電阻。較低的R_DS(ON)值表明更高的開關效率和更低的功率損耗。

- **I_D(連續漏極電流)**: 150A  
 MOSFET能夠承受的最大連續漏極電流。

- **技術**: Trench  
 采用Trench技術,提供低導通電阻和高效性能。

### 應用領域

BUK661R6-30C-VB MOSFET適合各種高電流和高效能的應用場景:

1. **電源管理**:
  - **高電流電源開關**: 在高電流開關應用中表現優異,如高效開關電源(SMPS),其低R_DS(ON)值可以顯著減少功率損耗,提高系統效率。
  - **DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中提供高效的電力轉換和調節,特別適用于需要處理大電流的應用。

2. **電機控制**:
  - **電動機驅動**: 適用于高功率電動機驅動系統,如工業電機驅動和電動汽車(EV)電機控制,能夠處理高達150A的電流,提供高效、可靠的開關性能。
  - **伺服電機**: 在精密伺服電機控制系統中,如機器人和自動化設備,提供穩定的高電流控制。

3. **汽車應用**:
  - **電力分配系統**: 用于汽車電力分配系統,能夠處理高電流負載,確保電力系統的可靠性和高效性。
  - **電池管理系統(BMS)**: 在混合動力和電動汽車中提升電池管理系統的性能,優化高電流處理能力。

4. **消費電子**:
  - **電源供應單元(PSU)**: 適用于高功率消費電子產品中的電源供應單元,如高性能計算機和音響系統,提供高效的電源管理。
  - **充電解決方案**: 在高電流充電應用中,如快速充電系統和高功率充電器,提供高效、可靠的充電過程。

BUK661R6-30C-VB以其極低的導通電阻和高電流處理能力,適合各種高功率和高效能的應用,確保系統的高效性和可靠性。

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