VBsemi SI4955DY-T1-E3-VB是一款雙P溝道MOSFET，適用于-30V的電壓范圍。其參數包括-7A的電流承受能力，RDS(ON)為35mΩ（在VGS=10V和VGS=20V時）。閾值電壓（Vth）為-1.5V。采用SOP8封裝。

**詳細參數：**
- 電壓范圍：-30V
- 電流承受能力：-7A
- RDS(ON)：35mΩ@VGS=10V，35mΩ@VGS=20V
- 閾值電壓（Vth）：-1.5V
- 封裝：SOP8

**應用簡介：**
SI4955DY-T1-E3-VB適用于多種領域，提供可靠的電源和電流控制解決方案：

1. **電源管理系統：** 由于其P溝道設計，可用于電源管理系統，實現對電源的高效控制。

2. **電池保護：** 在需要對電池進行精確控制和保護的應用中，SI4955DY-T1-E3-VB可提供穩定的電流控制。

3. **功率逆變器：** 適用于功率逆變器控制，確保輸出波形的高質量。

4. **LED照明：** 在LED照明系統中，可用于驅動和控制LED燈的亮度。

該MOSFET產品為各種應用場景提供了高性能的電源和電流控制解決方案。