VBsemi SI9933BDY-T1-E3-VB是一款具有兩個(gè)P溝道的MOSFET，適用于-30V的電壓范圍。其參數(shù)包括-7A的電流承受能力，RDS(ON)為35mΩ（在VGS=10V和VGS=20V時(shí)）。閾值電壓（Vth）為-1.5V。采用SOP8封裝。
**詳細(xì)參數(shù)：**
- 電壓范圍：-30V
- 電流承受能力：-7A
- RDS(ON)：35mΩ@VGS=10V，35mΩ@VGS=20V
- 閾值電壓（Vth）：-1.5V
- 封裝：SOP8
**應(yīng)用簡介：**
SI9933BDY-T1-E3-VB適用于多種領(lǐng)域，提供可靠的電源和電流控制解決方案：
1. **電源管理系統(tǒng)：** 由于其P溝道設(shè)計(jì)，可用于電源管理系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)對電源的高效控制。
2. **電池保護(hù)：** 在需要對電池進(jìn)行精確控制和保護(hù)的應(yīng)用中，SI9933BDY-T1-E3-VB可提供穩(wěn)定的電流控制。
3. **功率逆變器：** 適用于功率逆變器控制，確保輸出波形的高質(zhì)量。
4. **LED照明：** 在LED照明系統(tǒng)中，可用于驅(qū)動和控制LED燈的亮度。
該MOSFET產(chǎn)品為各種應(yīng)用場景提供了高性能的電源和電流控制解決方案。
