**型號：** SI9953DY-T1-E3-VB
**絲印：** VBA4338
**品牌：** VBsemi
**參數：**
- 2個P—Channel溝道
- 電壓范圍：-30V
- 電流范圍：-7A
- 導通電阻：RDS(ON)=35mΩ @ VGS=10V, 35mΩ @ VGS=20V
- 閾值電壓：Vth=-1.5V
**封裝：** SOP8
**詳細參數說明：**
SI9953DY-T1-E3-VB是一款P—Channel溝道功率MOSFET，具有2個溝道，適用于-30V的電壓范圍。在負向電流為-7A的情況下，具有35mΩ @ VGS=10V和35mΩ @ VGS=20V的導通電阻。其閾值電壓為-1.5V，采用SOP8封裝。
**應用簡介：**
SI9953DY-T1-E3-VB廣泛應用于P—Channel MOSFET相關的電源和開關電源應用，特別適用于需要負向電流和低導通電阻的場景。該器件在電源逆變器、電源開關模塊、電池管理系統等領域表現優異。
**應用示例：**
1. **電源逆變器：** 適用于電源逆變器模塊，實現高效的電能逆變，廣泛應用于太陽能逆變器和電動汽車逆變器等領域。
2. **電源開關模塊：** 在電源開關模塊中，提供可靠的功率開關功能，適用于便攜設備和嵌入式系統等領域。
3. **電池管理系統：** 由于其P—Channel溝道設計，可用于電池管理系統，實現高效的電池充放電控制。
SI9953DY-T1-E3-VB通過其P—Channel溝道設計，為需要此類特性的電源系統提供了高效可靠的解決方案。
