--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**型號:** SSM4423GM-VB
**絲印:** VBA2311
**品牌:** VBsemi
**技術(shù)參數(shù):**
- **溝道類型:** P—Channel
- **最大承受電壓:** -30V
- **最大電流:** -11A
- **導(dǎo)通電阻:** RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- **閾值電壓:** Vth=-1.42V
**封裝:** SOP8
**詳細技術(shù)參數(shù)說明:**
SSM4423GM-VB是一款P—Channel溝道MOSFET,其最大承受電壓為-30V,最大電流為-11A。其導(dǎo)通電阻在VGS=10V和VGS=20V時分別為10mΩ。閾值電壓為-1.42V。該器件采用SOP8封裝。
**應(yīng)用簡介:**
SSM4423GM-VB適用于多種功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用,提供卓越性能和可靠性。
**應(yīng)用示例:**
1. **無線通信設(shè)備:** 在無線通信設(shè)備中,SSM4423GM-VB可用于功率開關(guān),確保高效的能源轉(zhuǎn)換。
2. **電動汽車充電模塊:** 該器件適用于電動汽車充電模塊,實現(xiàn)高效的電源管理和功率開關(guān)。
通過采用SSM4423GM-VB,您可以在多種功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用中取得卓越性能和可靠性。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:26
產(chǎn)品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:23
產(chǎn)品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:20
產(chǎn)品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:16
產(chǎn)品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:14
產(chǎn)品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:12
產(chǎn)品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:09
產(chǎn)品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:07
產(chǎn)品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:06
產(chǎn)品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:03
產(chǎn)品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N