**UDN302L-AE3-R-VB**

- **絲印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
 - 封裝類型：SOT23
 - 溝道類型：P—Channel
 - 最大承受電壓：-30V
 - 最大漏極電流：-5.6A
 - 開態電阻（RDS(ON)）：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓（Vth）：-1V

- **應用簡介：**
 UDN302L-AE3-R-VB 是一款 P—Channel 溝道功率 MOSFET，采用 SOT23 封裝。具有低開態電阻和適用于負載開關和功率管理應用的特性。

- **詳細參數說明：**
 1. **封裝類型（Package Type）：** SOT23，這是一種小型表面貼裝封裝，適合密集的電路板設計。
 2. **溝道類型（Channel Type）：** P—Channel，表示這是一款 P 溝道型 MOSFET。
 3. **最大承受電壓（Maximum Drain-Source Voltage）：** -30V，這是該器件可承受的最大漏極電壓。
 4. **最大漏極電流（Maximum Drain Current）：** -5.6A，表示最大可通過的漏極電流。
 5. **開態電阻（RDS(ON)）：** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，表示在給定的柵源電壓下，開態電阻的最大值。
 6. **閾值電壓（Threshold Voltage）：** -1V，是器件開始導通的柵源電壓。

- **應用領域：**
 1. **負載開關（Load Switching）：** 適用于負載開關電路，提供可靠的開關控制，例如電源管理單元（PMU）的負載開關。
 2. **功率管理模塊（Power Management Modules）：** 用于構建功率管理模塊，如電源開關和電流控制器。

- **模塊應用舉例：**
 1. **電源開關模塊：** UDN302L-AE3-R-VB 可用于設計電源開關模塊，廣泛應用于便攜設備和電源管理系統。
 2. **電源管理單元（PMU）：** 作為 PMU 的一部分，用于控制電源的開關，提供高效的功耗管理。

請注意，以上信息僅為對給定參數的一般解釋和應用建議，具體設計時需要考慮電路需求和系統規格。