--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 N+P—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號: UPA2794GR-VB
絲印: VBA5638
品牌: VBsemi
參數:
- N+P-Channel溝道
- 最大工作電壓:±60V
- 最大連續漏極電流:6.5A (N-Channel), -5A (P-Channel)
- 開啟狀態電阻:28mΩ (N-Channel @ VGS=10V), 51mΩ (P-Channel @ VGS=20V)
- 門壓閾值電壓:±1.9V
封裝: SOP8
詳細參數說明:
- 此產品為N+P-Channel溝道的雙通道功率場效應晶體管(MOSFET)。
- 可在最大±60V的電壓下工作,適用于寬電壓范圍的電路設計。
- 最大連續漏極電流分別為6.5A(N-Channel)和-5A(P-Channel),具備較高的電流承受能力。
- 在VGS=10V時,N-Channel的開啟狀態電阻為28mΩ,P-Channel的開啟狀態電阻為51mΩ,有助于降低功耗。
- 門壓閾值電壓為±1.9V,確保了可靠的驅動和開關性能。
應用簡介:
- 適用于電源轉換、電機控制、功率放大等領域的電路設計。
- 可用于H橋驅動器、電源逆變器、電機控制器等模塊中,提供雙通道的功率開關解決方案。
- 在電動車充電樁、太陽能逆變器、工業自動化設備等領域有廣泛應用前景。
舉例說明:
- 在太陽能逆變器中,可用于構建全橋拓撲的電路,實現太陽能電能的高效轉換和穩定輸出。
- 在電動車充電樁中,作為功率開關元件,實現對電池充電過程的精確控制和高效能量轉換。
- 在工業自動化設備中,用作馬達控制器的功率開關,提供穩定的電機控制和可靠的工作性能。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N