VBsemi UT2305G-AE3-R-VB是P溝道場效應(yīng)晶體管，以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介：
- **參數(shù)說明:**
- 封裝: SOT23
- 極性: P-Channel
- 額定電壓: -30V
- 額定電流: -5.6A
- RDS(ON): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): -1V
- **應(yīng)用簡介:**
- UT2305G-AE3-R-VB適用于需要P溝道MOSFET的電路應(yīng)用。
- 典型應(yīng)用包括電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池保護(hù)、和其他要求高性能P溝道MOSFET的領(lǐng)域。
- **應(yīng)用領(lǐng)域:**
- 電源管理系統(tǒng)
- 電池保護(hù)電路
- 直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器
- **模塊應(yīng)用:**
- 用于電源模塊中的開關(guān)元件。
- 在電池管理模塊中用于電池保護(hù)。
- 在需要P溝道MOSFET的DC-DC轉(zhuǎn)換器模塊中使用。
該器件可在上述應(yīng)用中提供高效的電流控制和電壓調(diào)整，適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。
