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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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UT2321G-AE3-R-VB一款SOT23封裝P—Channel場效應(yīng)MOS管

型號: UT2321G-AE3-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號: UT2321G-AE3-R-VB

絲印: VB2355

品牌: VBsemi

參數(shù):
- 封裝: SOT23
- 溝道類型: P-Channel
- 額定電壓(Vds): -30V
- 額定電流(Id): -5.6A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): -1V

應(yīng)用簡介:
該器件適用于SOT23封裝,屬于P-Channel溝道MOSFET。其主要特性包括低導(dǎo)通電阻、適用于較低電壓的應(yīng)用等。

領(lǐng)域和模塊應(yīng)用:
1. **電源管理模塊:**
  - 用于低電壓、小功率的電源管理電路。
  
2. **電池管理系統(tǒng):**
  - 適用于便攜式設(shè)備、電池充放電管理。

3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器:**
  - 用于設(shè)計小型DC-DC轉(zhuǎn)換器,實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。

4. **電流控制應(yīng)用:**
  - 在需要P-Channel溝道MOSFET進(jìn)行電流控制的電路中使用。

請注意,在具體應(yīng)用中,確保器件的工作條件符合其規(guī)格書中的要求。

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