**UT4407G-S08-R-VB 規格:**

- **溝道類型:** P—Channel
- **額定電壓:** -30V
- **最大電流:** -11A
- **導通電阻:** RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓:** Vth = -1.42V
- **封裝:** SOP8

**詳細參數說明:**
VBsemi的P-Channel MOSFET專為負電源應用而設計。在-30V電壓下工作，最大電流為-11A。在不同的柵源電壓下，導通電阻為10mΩ。閾值電壓為-1.42V。采用SOP8封裝，適用于有空間限制的電路設計。

**應用概述:**
常用于負電源開關和電源管理系統，提供可靠的電流控制。

**適用領域和模塊示例:**
1. **電動汽車電源管理系統:** 作為電動汽車負電源開關，確保電池系統的高效運行。
2. **工業自動化設備:** 在負電源開關電路中實現高效電流控制，適用于各種自動化設備。
3. **功率逆變器模塊:** 用于功率逆變器電路的電流控制部分，確保逆變器的穩定可靠運行。

**注意:**
上述示例僅為說明性示例，實際應用應根據具體電路設計和要求進行調整。