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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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UT6402L-AE3-R-VB一款N—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: UT6402L-AE3-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

VBsemi UT6402L-AE3-R-VB 是一款 N—Channel 溝道的場效應晶體管,具體參數如下:

- 額定電壓(VDS):30V
- 額定電流(ID):6.5A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):30mΩ(在VGS=10V, VGS=20V時)
- 閾值電壓(Vth):1.2~2.2V

封裝為 SOT23。

**應用簡介:**
該晶體管適用于各種電子領域,特別是在需要 N-Channel 溝道的電路中,例如功率放大器、開關電源等。由于其低漏極-源極電阻和高電流承受能力,它可以在要求較高功率和效率的電路中得到應用。

**主要特點:**
- 超低漏極-源極電阻
- 高電流承受能力
- 適用于負載開關和功率放大器等應用

**典型應用領域和模塊:**
1. **功率放大器模塊:** 由于其高電流承受能力,可用于音頻功率放大器模塊。
2. **開關電源模塊:** 適用于開關電源模塊,提供穩(wěn)定的電源輸出。
3. **驅動電路:** 可用于各種需要 N—Channel 溝道的驅動電路。

這款晶體管在設計中可以用于要求低漏電流、高效率和較高功率的電子設備。

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