--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
一、產品簡介:
VBsemi公司推出的2606GY-VB型號是一款高性能N溝道場效應管,具有優異的電氣特性和可靠性。該產品適用于各種電子設備和電路中,提供穩定可靠的功率控制和電流調節功能。其小巧的封裝和卓越的性能使其成為各種應用場景下的理想選擇。
二、詳細參數說明:
1. 絲印:VB7322
2. 品牌:VBsemi
3. 類型:N溝道場效應管
4. 工作電壓:30V
5. 最大漏極電流:6A
6. 開啟電阻:RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V
7. 閾值電壓:Vth=1.2V
8. 封裝:SOT23-6
三、適用領域和模塊示例:
1. 便攜式電子設備:2606GY-VB可用于便攜式電子設備中的電源管理模塊,如智能手機、平板電腦等,提供高效的功率控制和電流管理,延長電池壽命。
2. LED照明系統:在LED照明系統中,該產品可用于LED驅動器和燈具控制模塊中,實現對LED燈的精確控制和亮度調節,提高照明效果和節能性能。
3. 醫療器械:在醫療器械領域,2606GY-VB可用于醫療設備中的電源管理和電流控制模塊,如醫療影像設備、監護儀器等,確保設備的穩定運行和安全性能。
4. 工業控制系統:在工業控制系統中,該產品可用于各種工業自動化設備和控制模塊中,提供穩定的電源管理和精確的電流控制,實現工業生產的高效運行和優化控制。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N