--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
產品簡介:
ELM16408EA-N-VB是VBsemi品牌的N—Channel溝道場效應晶體管,具有30V的耐壓能力和6A的電流承受能力。其關鍵參數包括RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V,以及閾值電壓Vth為1.2V。該晶體管采用SOT23-6封裝,適用于低壓、高電流的應用。
詳細參數說明:
- 品牌: VBsemi
- 型號: ELM16408EA-N-VB
- 絲印: VB7322
- 溝道類型: N—Channel
- 耐壓: 30V
- 電流承受能力: 6A
- RDS(ON): 30mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓(Vth): 1.2V
- 封裝: SOT23-6
應用領域及模塊示例:
1. 電源管理模塊:ELM16408EA-N-VB可用于低壓、高電流的電源管理模塊,如手機充電器、筆記本電腦適配器等。
2. DC-DC轉換器:適用于低壓、高電流的DC-DC轉換器,如車載電源管理系統、工業自動化設備等。
3. 電動工具:用于電動工具的功率開關模塊,如電動鉆、電動錘等。
4. LED驅動器:適用于LED照明系統中的LED驅動器,如LED燈帶、戶外景觀照明等。
5. 電池保護電路:用于電池保護電路中的電壓檢測和過流保護,確保電池的安全運行,如電動車輛電池管理系統、便攜式電子設備等。
通過以上示例,可以看出ELM16408EA-N-VB適用于多個領域和模塊,包括但不限于電源管理、DC-DC轉換器、電動工具、LED驅動器和電池保護電路等。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N