--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
產品簡介:
EMB25N06A-VB是VBsemi品牌的N—Channel溝道場效應晶體管,具有60V的耐壓能力和45A的電流承受能力。其關鍵參數包括RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V,以及閾值電壓Vth為1.8V。該晶體管采用TO252封裝,適用于中等功率的應用場景。
詳細參數說明:
- 品牌: VBsemi
- 型號: EMB25N06A-VB
- 絲印: VBE1638
- 溝道類型: N—Channel
- 耐壓: 60V
- 電流承受能力: 45A
- RDS(ON): 24mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓(Vth): 1.8V
- 封裝: TO252
應用領域及模塊示例:
1. 電源管理模塊:EMB25N06A-VB可用于電源管理模塊中的功率開關,如開關電源、逆變器等。
2. 電機驅動器:適用于中等功率的電機驅動器,如小型電動車、電動滑板車等。
3. 電池保護電路:用于電池保護電路中的充放電控制、過流保護等功能,如電動工具電池組、便攜式電子設備等。
4. 電源逆變器:適用于中等功率的電源逆變器,如太陽能逆變器、UPS系統等。
5. LED驅動器:用于LED照明系統中的中等功率LED驅動器,如路燈、工廠照明等。
通過以上示例,可以看出EMB25N06A-VB適用于多個領域和模塊,包括但不限于電源管理、電機驅動、電池保護、逆變器和LED驅動器等。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N