--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
產品簡介:
FQD25N06L-VB是VBsemi品牌推出的N溝道場效應管,具有60V的漏極-源極電壓承受能力和45A的漏極電流容量。該器件采用TO252封裝,具有良好的散熱性和可靠性,適用于各種功率電子應用。
詳細參數說明:
- 溝道類型:N溝道
- 額定漏極-源極電壓(VDS):60V
- 額定漏極電流(ID):45A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=10V
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):1.8V
適用領域和模塊舉例:
1. 電源模塊:FQD25N06L-VB可用作開關電源模塊中的功率開關器件,用于控制輸出電壓和電流,確保電源的穩定輸出。
2. 電動車輛:在電動車輛中,FQD25N06L-VB可用作電機驅動器件,控制電機的啟停和轉速,提供高效的功率傳輸和精確的動力控制。
3. 工業自動化:應用于工業自動化領域中的各種電機驅動、變頻器等控制電路,實現精確的運動控制和能量管理,提高生產效率。
4. 智能家居:在智能家居系統中,FQD25N06L-VB可用于控制家電設備的電源開關和功率調節,實現智能化的能源管理和設備控制。
5. LED照明:作為LED照明驅動器件,FQD25N06L-VB可以控制LED燈的亮度和穩定性,提高照明系統的效率和可靠性,節能環保。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N