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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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GT3583-VB一款2個N+P—Channel溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: GT3583-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 2個N+P—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**產品簡介:**
GT3583-VB是VBsemi品牌的雙N+P溝道場效應管(MOSFET),具有雙極性特性,適用于電路中需要控制正負電壓的場合。該器件采用SOT23-6封裝,可提供靈活的電路設計和緊湊的布局。

**詳細參數說明:**
- 電壓范圍:±20V
- 電流承受能力:7A(正溝道)、4.5A(負溝道)
- 導通電阻(RDS(ON)):20mΩ @ VGS=4.5V(正溝道)、70mΩ @ VGS=4.5V(負溝道)
- 閾值電壓(Vth):0.71V(正溝道)、-0.81V(負溝道)
- 封裝:SOT23-6

**產品應用舉例:**
1. *電源切換:* GT3583-VB的雙N+P溝道設計使其非常適合用于電源切換電路,特別是在需要同時處理正負電壓的情況下。它可以在電路中提供雙向電源開關功能,確保電路在正常工作和故障情況下都能夠可靠地切換電源。

2. *電流控制:* 由于GT3583-VB具有雙向電流傳輸能力,因此它可以用于電流控制電路中。例如,可將其用于電流限制器、電流源或電流調節器,以實現對電路中電流的精確控制。

3. *電池管理:* 在充電和放電管理系統中,GT3583-VB可以用于實現電池的雙向保護和管理。它可以用作電池保護開關或充放電控制器,確保電池在各種工作模式下都能安全可靠地運行。

4. *信號開關:* 由于其小型SOT23-6封裝和雙N+P溝道設計,GT3583-VB也可以用作信號開關,用于控制模擬信號或數字信號的通斷,適用于各種低功率電子設備中。

以上是一些GT3583-VB的典型應用示例,但它還可以用于許多其他領域和模塊,以滿足對雙向電壓控制和電流傳輸的需求。

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