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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPD400N06NG-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: IPD400N06NG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 發展中 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

產品簡介:
IPD400N06NG-VB 是由 VBsemi 公司生產的 N-Channel 溝道場效應晶體管,具有60V的漏極-源極電壓承受能力和45A的漏極電流。采用 TO252 封裝。該器件適用于高功率應用,為各種功率電子設計提供可靠性和性能優勢。

詳細參數說明:
- 溝道類型:N-Channel
- 最大漏極-源極電壓:60V
- 最大漏極電流:45A
- 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON)):24mΩ(在VGS=10V,VGS=20V時)
- 閾值電壓 (Vth):1.8V

應用領域和模塊示例:

1. 電源管理模塊:IPD400N06NG-VB 適用于各種類型的電源管理模塊,如開關電源、DC-DC 變換器等。其低漏極電阻和高漏極-源極電壓能力使其在這些應用中具有優異的性能,能夠有效地降低功率損耗并提高效率。

2. 電動汽車控制器:在電動汽車的控制系統中,IPD400N06NG-VB 可以作為電機驅動器或電池管理器件使用。其高漏極電流能力和低漏極-源極電阻可以確保電動汽車系統的高效率和可靠性。

3. 工業自動化設備:在工業自動化設備中,如機器人、自動化生產線等,IPD400N06NG-VB 可以作為電機控制器或開關電源的關鍵組件。其高電壓承受能力和低導通電阻可以確保設備在高負載條件下穩定運行。

4. 高性能電源放大器:在音頻設備和放大器中,IPD400N06NG-VB 可以作為功率放大器的關鍵部件,以提供高保真度和高功率輸出。

通過以上示例,可以看出 IPD400N06NG-VB 在多個領域和模塊中都具有廣泛的應用潛力,為各種功率電子設計提供了可靠的解決方案。

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