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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFTS8342PBF-VB一款N—Channel溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: IRFTS8342PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

一、產品簡介:
IRFTS8342PBF-VB是一款N溝道場效應管,由品牌VBsemi生產。該器件具有30V的漏極-源極電壓額定值,能夠承受最大6A的漏極電流。其導通狀態下的導通電阻(RDS(ON))為30mΩ,在VGS=10V和VGS=20V時均為該數值,門源閾值電壓(Vth)為1.2V。該器件采用SOT23-6封裝。

二、詳細參數說明:
- 溝道類型:N溝道
- 額定漏極-源極電壓(VDS):30V
- 最大漏極電流(ID):6A
- 導通狀態下的導通電阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V,VGS=20V
- 門源閾值電壓(Vth):1.2V
- 封裝類型:SOT23-6

三、適用領域和模塊示例:
1. **電源管理**:IRFTS8342PBF-VB適用于小功率電源管理模塊,如電池管理系統、電源開關等,其低漏極-源極電壓和漏極電流額定值適用于小功率設備的需求。
2. **移動設備**:在移動設備領域,這種器件可以用于設計手機充電管理模塊、移動電源等,因為它能夠承受較低的電壓和電流,同時具有較低的導通電阻,能夠提高效率和性能。
3. **汽車電子**:IRFTS8342PBF-VB適用于汽車電子領域的小功率電子設備,如車載充電器、車內電源管理模塊等,因為它能夠提供足夠的電流和電壓,同時具有較低的導通電阻,提高了系統的穩定性和可靠性。

 

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