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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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J317NYTL-E-VB一款P—Channel溝道SOT89-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: J317NYTL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT89-3封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

產品簡介:
J317NYTL-E-VB 是 VBsemi 公司生產的 P-Channel 溝道場效應晶體管,具有-30V的漏極-源極電壓承受能力和-5.8A的漏極電流。采用 SOT89-3 封裝。該器件適用于低壓功率控制電路,提供可靠性和性能優勢,適用于各種電子設備的設計。

詳細參數說明:
- 溝道類型:P-Channel
- 最大漏極-源極電壓:-30V
- 最大漏極電流:-5.8A
- 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON)):50mΩ(在VGS=10V,VGS=20V時)
- 閾值電壓 (Vth):-0.6V 至 -2V

應用領域和模塊示例:

1. 低功率電源管理模塊:J317NYTL-E-VB 適用于各種低功率電源管理模塊,如便攜式設備充電管理、電池保護電路等。其優異的性能特性可以確保在這些應用中實現高效率和穩定性。

2. 信號開關:在各種信號開關電路中,J317NYTL-E-VB 可以作為信號開關器件使用。其低漏極電阻和低閾值電壓使其能夠在低功率條件下實現可靠的信號控制功能。

3. 便攜式電子設備:J317NYTL-E-VB 可以應用于各種便攜式電子設備,如智能手機、平板電腦等的電源管理和信號控制電路中,以提高電池續航時間和系統效率。

4. 電池保護電路:在電池保護電路中,J317NYTL-E-VB 可以作為過充、過放保護器件使用。其性能能夠確保電池在充放電過程中安全可靠。

以上示例展示了 J317NYTL-E-VB 在各種低功率電子設備和電路中的廣泛應用,為設計者提供了靈活可靠的解決方案。

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