--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT89-3封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
一、該型號產品簡介:
J518-VB是一款P-Channel溝道功率MOSFET,由VBsemi品牌生產。其主要特點包括-60V的耐壓,最大-5A的漏極電流,以及在VGS=10V時的RDS(ON)為58mΩ。該器件封裝為SOT89-3。
二、該型號產品詳細參數說明:
- 耐壓(VDSS):-60V
- 最大漏極電流(ID):-5A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):
- VGS=10V時:58mΩ
- VGS=20V時:(需補充)
- 閾值電壓(Vth):1~3V
- 封裝:SOT89-3
三、產品應用領域和模塊示例:
J518-VB可適用于多個領域和模塊,例如:
1. 電源管理模塊:由于其P-Channel溝道特性和耐壓能力,適用于電源開關和功率調節模塊。在DC-DC轉換器中,可用于控制電源輸出。
2. 電動車輛系統:在電動車輛中,該器件可用于電池管理系統和驅動控制模塊,幫助管理電池輸出和電機驅動。
3. 工業自動化:用于控制工業設備中的電源開關,例如工廠自動化設備和機器人控制系統。
4. LED照明:可用于LED驅動器電路中的功率開關,控制LED照明的亮度和功率輸出。
綜上所述,J518-VB在多個領域和模塊中發揮作用,包括電源管理、電動車輛、工業自動化和LED照明等領域。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N