--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT89-3封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
產品簡介:
J578-VB 是 VBsemi 公司生產的 P-Channel 溝道場效應晶體管,具有-60V的漏極-源極電壓承受能力和-5A的漏極電流。采用 SOT89-3 封裝。該器件適用于中低功率控制電路,為電子設備提供可靠性和性能優勢,廣泛應用于各種領域的設計中。
詳細參數說明:
- 溝道類型:P-Channel
- 最大漏極-源極電壓:-60V
- 最大漏極電流:-5A
- 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON)):58mΩ(在VGS=10V,VGS=20V時)
- 閾值電壓 (Vth):1V 至 3V
應用領域和模塊示例:
1. 電源開關:J578-VB 可以用作電源開關器件,例如在電源逆變器中作為開關管,實現電源的開關控制和調節。
2. 低壓電源管理:在便攜式設備、嵌入式系統等低壓電源管理中,J578-VB 可以用于電源開關、電池管理等功能,以提供高效率和穩定性。
3. LED照明控制:J578-VB 可以用于 LED 照明控制電路中,例如調光、調色等功能,通過控制電流實現 LED 燈的亮度和顏色的調節。
4. 電池保護電路:在便攜式電子設備中,J578-VB 可以用作電池保護電路中的過充、過放保護器件,確保電池的安全使用。
以上示例展示了 J578-VB 在電源管理、控制、保護等領域的廣泛應用,為各種電子設備的設計提供了靈活可靠的解決方案。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N