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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MTD25N06T4G-VB一種N—Channel溝道TO252封裝MOS管

型號: MTD25N06T4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

MTD25N06T4G-VB是VBsemi品牌的N溝道場效應管,絲印標識為VBE1638。該器件采用TO252封裝,具有60V的漏極-源極電壓承受能力,45A的漏極電流承受能力,以及RDS(ON)為24mΩ@VGS=10V時的低導通電阻。閾值電壓(Vth)為1.8V。

以下是該產品的詳細參數說明:

- **型號:** MTD25N06T4G-VB
- **品牌:** VBsemi
- **器件類型:** N溝道場效應管
- **絲印:** VBE1638
- **封裝:** TO252
- **漏極-源極電壓(VDS):** 60V
- **漏極電流(ID):** 45A
- **導通電阻(RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS=10V
- **閾值電壓(Vth):** 1.8V

這款器件適用于多種領域和模塊,以下是一些示例:

1. **電源開關:** MTD25N06T4G-VB的高漏極電流承受能力和低導通電阻使其成為電源開關應用的理想選擇。它可以用于開關模式電源、DC-DC轉換器和逆變器等領域中,以提高系統的效率和功率密度。

2. **電機驅動:** 在電機驅動領域,這款器件可用于控制各種類型的電機,如直流電機和步進電機。其高漏極電流承受能力和低導通電阻有助于實現高效能的電機控制系統。

3. **電動車充電器:** MTD25N06T4G-VB適用于電動車充電器中的功率開關和電源管理部分。其高電壓承受能力和低導通電阻可以提高充電器的效率,并確保充電過程中的穩定性和安全性。

4. **工業自動化:** 在工業自動化領域,這款器件可用于驅動各種負載,如電磁閥、繼電器和電熱器等。其高性能特性可以提高系統的響應速度和可靠性,從而滿足工業應用的需求。

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