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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NP32N055SLE-E1-AY-VB一種N—Channel溝道TO252封裝MOS管

型號(hào): NP32N055SLE-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是NP32N055SLE-E1-AY-VB型號(hào)的產(chǎn)品簡(jiǎn)介和詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

NP32N055SLE-E1-AY-VB是VBsemi生產(chǎn)的N—Channel溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有以下特點(diǎn):
- 負(fù)載工作電壓:60V
- 最大漏極電流:45A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻:24mΩ @ VGS=10V
- 靜態(tài)漏極-源極電阻:24mΩ @ VGS=20V
- 門(mén)極閾值電壓:1.8V
- 封裝:TO252

### 參數(shù)說(shuō)明:

- **負(fù)載工作電壓 (VDS)**: 60V,指定了晶體管在負(fù)載工作時(shí)的最大電壓。
- **最大漏極電流 (ID)**: 45A,表示晶體管能夠承受的最大漏極電流。
- **靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON))**: 在不同的門(mén)極電壓下,靜態(tài)漏極-源極電阻都為24mΩ。這個(gè)參數(shù)表示了晶體管導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻。
- **門(mén)極閾值電壓 (Vth)**: 1.8V,是晶體管開(kāi)始導(dǎo)通的門(mén)極電壓閾值。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:NP32N055SLE-E1-AY-VB適用于各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,如電動(dòng)車(chē)、船舶驅(qū)動(dòng)等,可實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)控制和調(diào)速功能。
  
2. **電源管理**:在電源管理模塊中,NP32N055SLE-E1-AY-VB可用于開(kāi)關(guān)電源、穩(wěn)壓器等應(yīng)用,提供穩(wěn)定的電源輸出和功率管理。
  
3. **太陽(yáng)能逆變器**:在太陽(yáng)能電池逆變器中,NP32N055SLE-E1-AY-VB可用于實(shí)現(xiàn)對(duì)直流電能的高效逆變成交流電能,適用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)。

NP32N055SLE-E1-AY-VB的特性使其在各種領(lǐng)域和模塊中都能發(fā)揮重要作用,提供高效、穩(wěn)定的功率控制和管理功能。

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