--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介:
RJK0632JPD-VB是VBsemi推出的N溝道場效應晶體管產品。該產品具有60V耐壓、45A電流承受能力,并在VGS=10V時具有24mΩ的導通電阻。封裝采用TO252,適用于各種場合的電路設計需求。
### 詳細參數說明:
- **耐壓:** 60V
- **電流承受能力:** 45A
- **導通電阻(RDS(ON)):**
- VGS=10V時:24mΩ
- VGS=20V時:未提供
- **門極-源極閾值電壓(Vth):** 1.8V
- **封裝:** TO252
### 適用領域和模塊舉例:
1. **電源管理模塊:** 由于RJK0632JPD-VB具有較高的電流承受能力和低導通電阻,適用于用于開關電源等需要高效率功率轉換的電路設計中。
2. **汽車電子模塊:** 在汽車電子領域,RJK0632JPD-VB可用于驅動汽車燈光、電動窗等部件,因為其耐壓和電流承受能力能滿足汽車電子系統的要求。
3. **工業控制模塊:** 適用于需要控制大電流的工業電子設備,如機器人、數控設備等。
4. **照明模塊:** 用于LED照明驅動器設計中,能夠提供可靠的功率轉換和高效率的能量利用。
以上僅為部分示例,RJK0632JPD-VB的廣泛適用性使其可以用于多種領域和模塊的電路設計中。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N