**VBsemi N-Channel MOSFET SI3456DV-T1-GE3-VB**

- **絲印：** VB7322
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
 - N-Channel溝道
 - 額定電壓：30V
 - 額定電流：6A
 - 導通電阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓（Vth）：1.2V
- **封裝：** SOT23-6

**產品簡介：**

SI3456DV-T1-GE3-VB是一款N-Channel MOSFET，由VBsemi生產。它是一種低壓、低導通電阻的MOSFET，適用于各種低至中功率的電路設計，如電源管理、開關和驅動電路。

**詳細參數說明：**

1. **額定電壓（VDS）：** 30V的額定電壓使得該MOSFET適用于低至中等功率的電路設計，如電源管理和開關電路。

2. **額定電流（ID）：** 6A的額定電流表明它能夠處理中等功率負載，適用于多種電源管理和驅動電路。

3. **導通電阻（RDS(ON)）：** 在10V的柵極-源極電壓下，導通電阻為30mΩ，這表明在導通狀態下，該器件會產生較低的功率損耗。

4. **閾值電壓（Vth）：** 閾值電壓為1.2V，使得器件易于控制，適用于高效率的電路設計。

**適用領域和模塊舉例：**

1. **電源管理：** 可用于DC-DC轉換器、電池管理系統和負載開關等。

2. **驅動器：** 適用于電機驅動器、LED驅動器和風扇驅動器等。

3. **開關電路：** 用于開關模塊、穩壓器和電源逆變器等電路設計。

綜上所述，SI3456DV-T1-GE3-VB是一款性能可靠的N-Channel MOSFET，適用于多種低至中功率的電源管理、開關和驅動電路應用。