--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 2個N+P—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**產品簡介:**
SI3588DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的雙通道MOSFET,具有兩個N-Channel和兩個P-Channel溝道。它能夠在寬廣的電壓范圍內提供可靠的功率控制和管理,適用于多種電路設計。該器件采用SOT23-6封裝,適用于空間受限的應用場景。
**詳細參數說明:**
- 通道類型:2個N-Channel溝道,2個P-Channel溝道
- 額定電壓(VDS):±20V
- 額定電流(ID):
- N-Channel:7A
- P-Channel:-4.5A
- 導通電阻(RDS(ON)):
- N-Channel:20mΩ @ VGS=4.5V
- P-Channel:70mΩ @ VGS=4.5V
- 門極電壓(VGS):20V
- 門極閾值電壓(Vth):
- N-Channel:0.71V
- P-Channel:-0.81V
- 封裝類型:SOT23-6
**適用領域和模塊:**
SI3588DV-T1-GE3-VB適用于多種領域和模塊,以下是幾個典型的應用示例:
1. **功率管理模塊**:該器件的雙通道設計使其非常適合用于功率開關和功率管理,可用于DC-DC轉換器、AC-DC轉換器等應用中。
2. **電機驅動器**:SI3588DV-T1-GE3-VB可用于電機驅動器,包括直流電機驅動、步進電機驅動等,適用于工業自動化、汽車電子等領域。
3. **電源選擇開關**:由于器件包含N-Channel和P-Channel溝道,可用作電源選擇開關,實現電路中不同電源的切換功能,例如電池供電和外部電源供電之間的切換。
4. **電池管理系統**:在電池充放電管理系統中,SI3588DV-T1-GE3-VB可用于充電和放電控制,幫助實現電池充電、放電過程中的電流和電壓管理。
綜上所述,SI3588DV-T1-GE3-VB適用于功率管理、電機驅動、電源選擇和電池管理等領域,在各種電子產品中發揮重要作用,提供高效、可靠的功率控制和管理功能。
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