### 產(chǎn)品簡介：
VBsemi UTT30N05G-TN3-R-VB是一款N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有60V的漏極-源極電壓額定值和45A的漏極電流額定值。該器件采用TO252封裝，絲印為VBE1638，品牌為VBsemi。
### 詳細(xì)參數(shù)說明：
- 溝道類型：N溝道
- 最大漏極-源極電壓：60V
- 最大漏極電流：45A
- 導(dǎo)通電阻：24mΩ（在VGS=10V時）、24mΩ（在VGS=20V時）
- 閾值電壓：1.8V
### 適用領(lǐng)域和模塊示例：
1. **電源管理模塊**：由于其較高的漏極-源極電壓和漏極電流額定值，UTT30N05G-TN3-R-VB適用于各種電源管理模塊，如DC-DC變換器和功率因數(shù)校正（PFC）模塊。
2. **電機(jī)控制**：在電機(jī)控制應(yīng)用中，UTT30N05G-TN3-R-VB可以用作電機(jī)驅(qū)動器中的開關(guān)元件，實(shí)現(xiàn)高效能的電機(jī)控制。
3. **照明應(yīng)用**：由于其高電壓和電流額定值，該器件可用于LED照明驅(qū)動器和照明控制模塊。
4. **工業(yè)自動化**：在工業(yè)自動化系統(tǒng)中，UTT30N05G-TN3-R-VB可用于開關(guān)電源和工業(yè)電機(jī)控制器。
5. **電源適配器**：在各種類型的電源適配器中，UTT30N05G-TN3-R-VB可用于開關(guān)模式電源適配器（SMPS）和線性電源適配器。
這些只是UTT30N05G-TN3-R-VB可能適用的一些領(lǐng)域和模塊的示例。由于其高性能和可靠性，該器件還可用于許多其他應(yīng)用領(lǐng)域。
