### 產品簡介
UTT30P04L-TN3-R-VB是VBsemi推出的P-Channel溝道MOSFET，具有-40V的漏極-源極電壓承受能力和-65A的漏極電流承受能力。其低導通電阻(RDS(ON))為10mΩ，工作電壓范圍為10V至20V。封裝采用TO252。
### 詳細參數說明
- **型號**: UTT30P04L-TN3-R-VB
- **溝道類型**: P-Channel
- **漏極-源極電壓(VDSS)**: -40V
- **漏極電流(ID)**: -65A
- **導通電阻(RDS(ON))**: 10mΩ @ VGS=10V; 20V時未提供數據
- **閾值電壓(Vth)**: -1.6V
- **封裝**: TO252
### 適用領域和模塊舉例
1. **電源管理**: 由于UTT30P04L-TN3-R-VB具有較大的漏極電流承受能力和低導通電阻，適合用于開關電源、DC-DC轉換器等電源管理模塊中，可實現高效的功率轉換。
2. **電池保護**: 在電池保護電路中，UTT30P04L-TN3-R-VB可用于過放保護，確保電池在過放時電流被截斷，保護電池安全。
3. **馬達驅動**: 作為馬達驅動器的一部分，UTT30P04L-TN3-R-VB可控制馬達的通斷，用于控制馬達的轉動方向和速度。
4. **照明應用**: 在LED驅動電路中，UTT30P04L-TN3-R-VB可以用作開關器件，實現對LED燈的亮度調節和開關控制。
5. **汽車電子**: 在汽車電子系統中，UTT30P04L-TN3-R-VB可用于控制車燈、電動窗等電器設備的開關，提高系統的可靠性和效率。
以上僅為UTT30P04L-TN3-R-VB的一些應用領域和模塊舉例，具體應用取決于具體設計需求和環境。
