--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
一、產品簡介:
FQD20N06LTF-VB是VBsemi生產的N溝道場效應管,具有60V的漏極-源極電壓額定值,能夠承受最大45A的電流。其特點包括低導通電阻(RDS(ON))為24mΩ,在VGS=10V和VGS=20V時。門壓閾值(Vth)為1.8V。該器件采用TO252封裝,適用于各種應用場合。
二、詳細參數說明:
- 最大漏極-源極電壓(VDSS):60V
- 最大連續漏極電流(ID):45A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):24mΩ(在VGS=10V時)
- 端口-源極電壓(VGS):±20V
- 門壓閾值(Vth):1.8V
三、適用領域和模塊示例:
1. 電源管理模塊:FQD20N06LTF-VB適用于電源開關模塊、DC-DC轉換器和充電器等應用,能夠有效地管理和轉換電能。
2. 電動車輛:在電動汽車、電動自行車和電動滑板車等交通工具中,該器件可作為驅動電機和電池管理系統的關鍵組件,提供高效的功率轉換和控制。
3. 工業自動化:在工業控制系統、機器人技術和自動化設備中,FQD20N06LTF-VB可用于開關電路和電源管理,實現精確的控制和高效的能量轉換。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N