## 產品簡介：

**型號：** FQD30N06TM-VB  
**絲印：** VBE1638  
**品牌：** VBsemi  
**封裝：** TO252  

FQD30N06TM-VB是一款N溝道MOSFET，具有60V的漏極-源極電壓承受能力和45A的漏極電流承受能力。它設計用于提供低導通電阻和優秀的性能，適用于多種領域和模塊。

## 參數說明：

- **N溝道溝道MOSFET**
- **漏極-源極電壓（VDS）:** 60V
- **漏極電流（ID）:** 45A
- **導通電阻（RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS=10V, 20V
- **閾值電壓（Vth):** 1.8V
- **封裝類型:** TO252  

## 應用領域和模塊示例：

1. **電源模塊：** FQD30N06TM-VB的高漏極電流承受能力和低導通電阻使其成為電源模塊的理想選擇，尤其是在需要高效率和穩定性的場合。

2. **電機驅動：** 由于其高電壓承受能力和低導通電阻，這款MOSFET非常適合用于電機驅動模塊，能夠提供高效率和可靠性。

3. **電動車電池管理系統（BMS）：** 在電動車電池管理系統中，FQD30N06TM-VB可用于電池的保護和管理，確保電池系統的安全和穩定性。

4. **LED照明：** 在LED照明系統中，這款MOSFET可以用于調光和控制LED燈的亮度，提供高效的能源管理。

5. **工業自動化：** 在工業自動化控制系統中，FQD30N06TM-VB可用于驅動各種執行器和電機，實現高效的自動化生產流程。

FQD30N06TM-VB的特性使其適用于多種領域和模塊，為電子系統提供高性能和可靠性。