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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPD220N06L3-G-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: IPD220N06L3-G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

產品簡介:IPD220N06L3-G-VB是VBsemi生產的一款N-Channel溝道場效應管。該器件具有60V的漏極-源極電壓承受能力和45A的漏極電流能力。其導通電阻RDS(ON)在VGS=10V時為24mΩ。該器件適用于各種中高壓功率控制和開關應用,具有高效能和低導通電阻的特點。

詳細參數說明:
- 品牌:VBsemi
- 型號:IPD220N06L3-G-VB
- 絲印:VBE1638
- 溝道類型:N-Channel
- 最大漏極-源極電壓(VDS):60V
- 最大漏極電流(ID):45A
- 導通電阻RDS(ON):24mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓Vth:1.8V
- 封裝:TO252

適用領域和模塊示例:
1. 電機驅動:IPD220N06L3-G-VB可用于驅動各種類型的電機,如直流電機和步進電機,以控制其速度和方向。
2. 電源開關:在電源開關模塊中,該器件可以用作高功率開關,幫助實現電源的開啟和關閉,同時保持低導通電阻,減少功率損耗。
3. 汽車電子系統:在汽車的電子系統中,IPD220N06L3-G-VB可以用于控制車輛的各種電氣設備,如電動窗、座椅調節器等,確保其高效穩定的運行。
4. 工業控制:在工業控制領域,該器件可用于各種自動化設備和機器的控制,提高系統的響應速度和效率。

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