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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPD30N06S3-24-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: IPD30N06S3-24-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

一、產品簡介:
IPD30N06S3-24-VB是一款N溝道場效應管,由品牌VBsemi生產。該器件具有60V的漏極-源極電壓額定值,能夠承受最大45A的漏極電流。其導通狀態下的導通電阻(RDS(ON))為24mΩ,在VGS=10V和VGS=20V時均為該數值,門源閾值電壓(Vth)為1.8V。該器件采用TO252封裝。

二、詳細參數說明:
- 溝道類型:N溝道
- 額定漏極-源極電壓(VDS):60V
- 最大漏極電流(ID):45A
- 導通狀態下的導通電阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=10V,VGS=20V
- 門源閾值電壓(Vth):1.8V
- 封裝類型:TO252

三、適用領域和模塊示例:
1. **電源模塊**:IPD30N06S3-24-VB適用于設計用于高功率電源轉換的電源模塊,如DC-DC轉換器、開關電源等。其高漏極-源極電壓和漏極電流額定值能夠滿足高功率應用的要求。
2. **電動車輛**:在電動車輛領域,這種器件可以用于設計電動汽車控制模塊、電動車輛充電器等,因為它能夠承受高電壓和大電流,同時具有較低的導通電阻,能夠提高效率和性能。
3. **工業控制**:IPD30N06S3-24-VB適用于工業控制領域的電機驅動、電源開關等模塊設計,能夠提供足夠的電流和電壓,同時具有較低的導通電阻,提高了系統的穩定性和可靠性。

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