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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFD12N06RLESM-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): IRFD12N06RLESM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IRFD12N06RLESM-VB是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,由品牌VBsemi生產(chǎn)。該器件具有60V的漏極-源極電壓額定值,能夠承受最大45A的漏極電流。其導(dǎo)通狀態(tài)下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為24mΩ,在VGS=10V和VGS=20V時(shí)均為該數(shù)值,門源閾值電壓(Vth)為1.8V。該器件采用TO252封裝。

二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- 溝道類型:N溝道
- 額定漏極-源極電壓(VDS):60V
- 最大漏極電流(ID):45A
- 導(dǎo)通狀態(tài)下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=10V,VGS=20V
- 門源閾值電壓(Vth):1.8V
- 封裝類型:TO252

三、適用領(lǐng)域和模塊示例:
1. **電源模塊**:IRFD12N06RLESM-VB適用于設(shè)計(jì)用于高功率電源轉(zhuǎn)換的電源模塊,如DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源等。其高漏極-源極電壓和漏極電流額定值能夠滿足高功率應(yīng)用的要求。
2. **電動(dòng)車輛**:在電動(dòng)車輛領(lǐng)域,這種器件可以用于設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車控制模塊、電動(dòng)車輛充電器等,因?yàn)樗軌虺惺芨唠妷汉痛箅娏鳎瑫r(shí)具有較低的導(dǎo)通電阻,能夠提高效率和性能。
3. **工業(yè)控制**:IRFD12N06RLESM-VB適用于工業(yè)控制領(lǐng)域的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源開關(guān)等模塊設(shè)計(jì),能夠提供足夠的電流和電壓,同時(shí)具有較低的導(dǎo)通電阻,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

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