--- 產品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
RQJ0315FQDQS-VB是VBsemi品牌的一款N溝道場效應管,具有60V的漏極-源極電壓承受能力,75A的漏極電流承受能力,以及在VGS=10V時的RDS(ON)電阻為11mΩ,VGS=20V時的閾值電壓為1.9V。它采用TO263封裝,適用于需要高電流和低導通電阻的應用場合。
### 詳細參數(shù)說明
- 型號:RQJ0315FQDQS-VB
- 品牌:VBsemi
- 溝道類型:N溝道
- VDS(漏極-源極電壓):60V
- ID(漏極電流):75A
- RDS(ON)(導通電阻):11mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓(Vth):1.9V @ VGS=20V
- 封裝:TO263
### 適用領域和模塊舉例
1. **電源管理模塊**:RQJ0315FQDQS-VB的高電流承受能力和低導通電阻使其非常適合用于電源管理模塊,如開關電源和直流-直流轉換器。
2. **電機驅動**:由于其能夠承受高達75A的電流,RQJ0315FQDQS-VB也可以用作電機驅動器,例如用于電動工具、汽車電動化等領域。
3. **照明控制**:在需要控制高功率LED照明的場合,RQJ0315FQDQS-VB可以作為LED驅動器的部分。
4. **電動車充電器**:對于電動車充電器等高功率充電設備,RQJ0315FQDQS-VB可以作為關鍵部件,實現(xiàn)高效、可靠的充電。
5. **其他領域**:此外,由于其性能優(yōu)越,RQJ0315FQDQS-VB還可以應用于各種需要高電流和低導通電阻的領域和模塊,如工業(yè)自動化、醫(yī)療設備等。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N