--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**型號:RQJ0398FQDQS-VB**
RQJ0398FQDQS-VB是一款由VBsemi品牌生產的N-Channel溝道功率MOSFET。該產品具有60V的漏源極電壓和75A的連續漏極電流,適用于高效電源管理和功率轉換應用。其低導通電阻(RDS(ON))和較低的柵極電壓門檻(Vth)使其在高效能和高可靠性方面表現出色。
### 詳細參數說明
- **品牌:** VBsemi
- **型號:** RQJ0398FQDQS-VB
- **極性:** N-Channel
- **漏源極電壓(VDS):** 60V
- **連續漏極電流(ID):** 75A
- **導通電阻(RDS(ON)):** 11mΩ @ VGS=10V
- **柵源極電壓(VGS):** 20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.9V
- **封裝類型:** TO263
### 應用領域和模塊
**電源管理:**
RQJ0398FQDQS-VB可以用于高效電源管理系統,如服務器電源和數據中心電源系統。其高電流能力和低導通電阻使其在高效率和高可靠性方面表現優異。
**電動汽車:**
該MOSFET適用于電動汽車的電池管理系統和電機驅動模塊。其高電流處理能力和低功耗特性能夠滿足電動汽車高效能和可靠性的要求。
**工業控制:**
在工業自動化和控制系統中,RQJ0398FQDQS-VB可用于電機驅動和電源轉換模塊。其高電流和低導通電阻特性保證了系統的穩定性和高效能。
**消費電子:**
在高性能的消費電子產品中,如高功率LED照明和電源適配器中,該MOSFET能夠提供高效的功率轉換和管理,確保產品的長壽命和高可靠性。
通過以上應用實例可以看出,RQJ0398FQDQS-VB作為一款高性能的N-Channel功率MOSFET,廣泛適用于各類高效能和高可靠性的電源管理和功率轉換系統。
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