VBsemi N-Channel MOSFET RQJ0429FQDQS-VB

品牌：VBsemi

絲印：VBE1106N

參數(shù)：

- N-Channel溝道
- 額定電壓：100V
- 額定電流：25A
- RDS(ON)：55mΩ @ VGS=10V
- RDS(ON)：20mΩ @ VGS=20V
- 閾值電壓：1.4V

封裝：TO252

產(chǎn)品簡介：

RQJ0429FQDQS-VB是VBsemi生產(chǎn)的N-Channel MOSFET，具有100V的額定電壓和25A的額定電流。采用TO252封裝，適用于各種高壓、高功率的應用場合。

詳細參數(shù)說明：

1. **額定電壓（VDS）**：100V的額定電壓使得該器件能夠適用于較高電壓的電路，提供了更廣泛的應用場景。
2. **額定電流（ID）**：25A的額定電流使得該器件能夠承受較大的電流負載，適用于高功率應用。
3. **導通電阻（RDS(ON)）**：在10V的柵源電壓下，RDS(ON)為55mΩ，提供了較低的導通電阻，降低了功率損耗。
4. **閾值電壓（Vth）**：1.4V的閾值電壓使得該器件易于控制，適用于各種電路設計。

該產(chǎn)品適用領(lǐng)域和模塊舉例：

1. **電源管理**：由于其高額定電壓和額定電流，RQJ0429FQDQS-VB可用于開關(guān)電源、逆變器等高功率電源管理應用，例如工業(yè)電源和UPS系統(tǒng)。
2. **電動汽車**：在電動汽車的電動驅(qū)動系統(tǒng)中，該MOSFET可用于驅(qū)動電動機、電池管理系統(tǒng)等，提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
3. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，RQJ0429FQDQS-VB可用于電機控制、逆變器和電源開關(guān)等高功率應用，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
4. **太陽能逆變器**：在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中，該器件可用于逆變器，將太陽能板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，為電網(wǎng)供電或用于獨立發(fā)電系統(tǒng)。

總的來說，RQJ0429FQDQS-VB是一款高性能、高壓、高功率的N-Channel MOSFET，適用于各種高功率、高壓應用場合，包括工業(yè)、汽車、太陽能等領(lǐng)域。