--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**產品簡介:**
RQJ0520FQDQS-VB是VBsemi品牌的N溝道場效應晶體管,采用TO252封裝,絲印標識為VBE1203M。該晶體管具有高達200V的漏極-源極電壓承受能力和最大10A的漏極電流額定值,適用于需要高電壓和高電流承受能力的電路應用。
**詳細參數說明:**
- 漏極-源極電壓(VDS):200V
- 漏極電流(ID):10A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):245mΩ(在VGS=10V時)、245mΩ(在VGS=20V時)
- 門-源極閾值電壓(Vth):3.06V
**應用領域和模塊示例:**
1. **電源管理:** 適用于開關電源、逆變器和穩壓器等電源管理模塊,可提供高效穩定的電源輸出。
2. **電動汽車充電器:** 在電動汽車充電器中,可用于功率調節器和開關電源部分,實現高效充電和功率管理。
3. **LED照明系統:** 用于LED照明系統的驅動電路和功率控制模塊,提供高效的功率轉換和亮度調節功能。
4. **工業自動化:** 適用于工業控制系統中的開關電路和電源模塊,如PLC、變頻器和工業機器人等,提供可靠的電源和控制功能。
綜上所述,RQJ0520FQDQS-VB可廣泛應用于電源管理、電動汽車充電器、LED照明系統和工業自動化等領域和模塊,為各種電路應用提供高性能的功率開關和控制解決方案。
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