**VBsemi N-Channel MOSFET RQJ0569FQDQS-VB**

- **絲印：** VBE1203M
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
 - N-Channel溝道
 - 額定電壓：200V
 - 額定電流：10A
 - 導通電阻（RDS(ON)）：245mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓（Vth）：3.06V
- **封裝：** TO252

**產品簡介：**

RQJ0569FQDQS-VB是VBsemi生產的N-Channel MOSFET，適用于中功率應用。具有200V的額定電壓和10A的額定電流。其低導通電阻和合適的閾值電壓使其在各種應用中表現出色。

**詳細參數說明：**

1. **額定電壓（VDS）：** 200V的額定電壓使得該MOSFET適用于中等電壓的電路設計，如電源轉換器、工業控制系統等。

2. **額定電流（ID）：** 10A的額定電流表示它可以承受相當大的負載電流，適用于中功率應用。

3. **導通電阻（RDS(ON)）：** 在10V的柵極-源極電壓下，導通電阻為245mΩ，這意味著在導通狀態下，器件會產生較低的功率損耗。

4. **閾值電壓（Vth）：** 閾值電壓為3.06V，這使得器件易于控制，適用于各種電路設計。

**適用領域和模塊舉例：**

1. **電源轉換器：** 由于其高電壓和較高電流特性，可用于開關電源、逆變器等電源轉換器。

2. **工業控制系統：** 在工業自動化和控制系統中，可以用于電機控制、電源管理等方面。

3. **電動汽車充電樁：** 適用于電動汽車充電樁中的直流充電控制模塊，確保高效率和可靠性。

4. **UPS系統：** 在不間斷電源系統中，可用于電池管理、逆變器控制等關鍵部分，確保穩定的電源輸出。

綜上所述，RQJ0569FQDQS-VB是一款性能優異的N-Channel MOSFET，適用于中功率應用，包括電源轉換器、工業控制系統、電動汽車充電樁以及UPS系統等領域。