--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
UT9435-AB21-R-VB是VBsemi生產(chǎn)的一款高性能N溝道MOSFET,主要應(yīng)用于高效率和高電流需求的場(chǎng)合。其特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓以及優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,使其成為電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)和電機(jī)控制等領(lǐng)域的理想選擇。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **產(chǎn)品型號(hào)**: UT9435-AB21-R-VB
- **絲印**: VBL1615
- **品牌**: VBsemi
- **類(lèi)型**: N-Channel MOSFET
- **最大擊穿電壓 (Vds)**: 60V
- **最大連續(xù)漏極電流 (Id)**: 75A
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 11mΩ @ VGS=10V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.9V
- **封裝**: TO263
### 適用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理**
- **領(lǐng)域**: 用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和同步整流器。
- **模塊**: 該MOSFET可以在高效電源管理模塊中使用,幫助提高能量轉(zhuǎn)換效率,減少功耗。
2. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**
- **領(lǐng)域**: 應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
- **模塊**: 適用于控制高電流負(fù)載的開(kāi)關(guān)模塊,確保設(shè)備在待機(jī)模式下的低功耗表現(xiàn)。
3. **電機(jī)控制**
- **領(lǐng)域**: 用于電動(dòng)車(chē)和工業(yè)電機(jī)的控制電路。
- **模塊**: 可在電動(dòng)車(chē)控制器模塊中使用,實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和速度控制,提高整體系統(tǒng)的性能和可靠性。
UT9435-AB21-R-VB以其卓越的性能和可靠性,適用于各種高要求的應(yīng)用場(chǎng)景,為設(shè)計(jì)工程師提供了一個(gè)理想的解決方案。
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